[实用新型]一种堆叠式封装结构

说明书

本实用新型公开一种堆叠式封装结构，包括基板，所述基板上开设有凹槽，所述凹槽的底壁上设置有第一芯片，所述第一芯片背离所述凹槽的底壁一侧设置有导电柱，所述导电柱上设置有第二芯片，所述第二芯片背离所述导电柱的一侧设置有第三芯片，其中，所述第一芯片与所述基板之间形成电连接，所述第二芯片与所述导电柱之间形成电连接，所述导电柱电连接有所述基板电连接的第一导电体，所述第三芯片与基板之间形成电连接。本实用新型有利于封装结构尺寸的进一步减小。

技术领域

本实用新型涉及封装技术领域。更具体地，涉及一种堆叠式封装结构。

背景技术

SIP封装(system In a Package系统级封装)是将多种功能芯片，包括处理器、存储器等功能芯片集成在一个封装内，从而实现一个基本完整的功能，其与SOC(system On aChip系统级芯片)相对应，不同的是系统级封装是采用不同芯片进行并排或叠加的封装方式，而SOC则是高度集成的芯片产品。

目前，现有的堆叠式封装结构主要采用平铺或堆叠和埋入方式，其中堆叠方式可进一步缩小封装的面积，现有的堆叠方式主要为WB(Wire bond引线键合)+WB或WB+FC(FlipChip倒装)，无法实现三层以上的芯片堆叠，从而造成整个产品的堆叠结构较大。

实用新型内容

为解决背景技术中所提出的技术问题，本实用新型提出一种堆叠式封装结构，包括基板，所述基板上开设有凹槽，所述凹槽的底壁上设置有第一芯片，所述第一芯片背离所述凹槽的底壁一侧设置有导电柱，所述导电柱上设置有第二芯片，所述第二芯片背离所述第一芯片的一侧设置有第三芯片，其中，所述第一芯片与所述基板之间形成电连接，所述第二芯片与所述导电柱之间形成电连接，所述导电柱电连接有所述基板电连接的第一导电体，所述第三芯片与基板之间形成电连接。

可选地，所述第一芯片通过倒装的方式与所述基板之间形成电连接。

可选地，所述第二芯片通过倒装的方式与所述导电柱之间形成电连接。

可选地，所述第一导电体通过引线键合的方式与所述基板之间形成电连接。

可选地，所述第一导电体电连接有第二导电体，所述第二导电体通过表面贴装的方式与所述基板之间形成电连接。

可选地，所述第三芯片通过引线键合的方式与所述基板之间形成电连接。

可选地，还包括容置于所述基板内的有源器件或无源器件。

可选地，还包括设置在所述基板上的外围芯片。

可选地，还包括塑封保护层，所述塑封保护层至少包裹所述第一芯片、所述导电柱、所述第一导电体、所述第二芯片以及所述第三芯片。

可选地，所述塑封保护层的材料为环氧树脂。

本实用新型的有益效果如下：

本实用新型所述技术方案具有原理明确、设计简单的优点，通过本实用新型提出的堆叠式封装结构能够实现三层以上的芯片堆叠，有利于封装结构尺寸的进一步减小，在具体实施中相应的降低了封装高度，并且在基板内容置有源器件或无源器件，有利于封装结构的进一步集成，而将外围芯片设置在基板表面，具有更高的集成度。

附图说明

下面结合附图对本实用新型的具体实施方式作进一步详细的说明。

图1示出本实用新型提出一种堆叠式封装结构的结构示意图；

图2示出本实用新型中的堆叠式封装结构的一种可替换方案的结构示意图。

图中：1、基板；2、凹槽；3、第一芯片；4、导电柱；5、第二芯片；6、第一导电体；7、凸点焊盘；8、导电线；9、第二导电体；10、焊垫；11、第三芯片；12、有源器件或无源器件；13、外围芯片；14、塑封保护层。