[实用新型]一种片式氧传感器烧结整形装置有效
| 申请号： | 201922033633.3 | 申请日： | 2019-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN210925952U | 公开（公告）日： | 2020-07-03 |
| 发明（设计）人： | 甘学贤;冯立明;冯宽;任中良;张宝宝 | 申请（专利权）人： | 焦作市维纳科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/324;H01L21/477;G01N33/00 |
| 代理公司： | 焦作市科彤知识产权代理事务所(普通合伙) 41133 | 代理人： | 杨明环 |
| 地址： | 454150 河南*** | 国省代码： | 河南;41 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 片式氧 传感器 烧结 整形 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种片式氧传感器烧结整形装置，包括烧结整形盒体，其特征在于：所述烧结整形盒为矩形盒体，所述烧结整形盒包括右侧烧结盒和左侧沙池盒，所述烧结盒内架设有网格板，所述网格板将烧结盒平均划分有九个格子，所述九个格子的底部连通，九个所述格子内均设有压板，所述沙池盒设于烧结盒一侧，且沙池盒与烧结盒共用一个侧壁，所述沙池盒与烧结盒之间设有开口，所述开口处设有挡料板，所述沙池盒顶部设有密封盖。
2.根据权利要求1所述的一种片式氧传感器烧结整形装置，其特征在于：所述挡料板底部设有卡块，所述烧结盒底部设有与卡块相配合的卡槽，所述挡料板两侧与烧结盒侧壁相交处竖直滑动连接，所述挡料板顶部设有拉手。
3.根据权利要求2所述的一种片式氧传感器烧结整形装置，其特征在于：所述挡料板两侧设有滑槽，所述滑槽与烧结盒侧壁相配合。
4.根据权利要求1所述的一种片式氧传感器烧结整形装置，其特征在于：所述烧结盒顶部配套设有烧结盒盖。
5.根据权利要求1所述的一种片式氧传感器烧结整形装置，其特征在于：所述烧结整形盒两侧外壁设有把手。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于焦作市维纳科技有限公司，未经焦作市维纳科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201922033633.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种唱片机的防震支架结构
- 下一篇：一种无轴螺旋输送机压紧装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
