[实用新型]半导体器件有效

专利信息
申请号: 201922027375.8 申请日: 2019-11-20
公开(公告)号: CN213026110U 公开(公告)日: 2021-04-20
发明(设计)人: T·贝默尔;张翠薇;E·迈尔斯;M·施塔德勒 申请(专利权)人: 英飞凌科技股份有限公司
主分类号: H01L23/488 分类号: H01L23/488;H01L23/498
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 刘炳胜
地址: 德国瑙伊*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体器件
【说明书】:

一种半导体器件,包括:包括管芯焊盘和接触部的载体;包括第一主面和相对的第二主面的半导体管芯,该半导体管芯通过第一焊点附接在管芯焊盘上,以致第二主面面向管芯焊盘;包括第一接触区和第二接触区的接触夹,第一接触区通过第二焊点附接在半导体管芯的第一主面上,第二接触区通过第三焊点附接在接触部上,其中第一接触区具有朝向半导体管芯的第一主面的凸形,以致第一主面和第一接触区之间的距离从凸形的根部向第一接触区的边缘增加,且其中根部沿着基本垂直于接触夹纵轴的直线所延伸。

技术领域

本公开通常涉及半导体器件及制造半导体器件的方法。

背景技术

半导体器件可以包括载体、半导体管芯和接触夹,接触夹被配置为将半导体管芯上面的电极电耦合于半导体器件的接触部,例如熔接引线。半导体管芯可以通过焊点电气地和机械地耦合于载体。同样地,接触夹可以通过另外焊点电气地和机械地耦合于半导体管芯的上面和接触部。由于制造公差,焊点的制造可能不能满足预期规格(即焊点的制造可能例如会不均匀或包括空洞)。这样的“有瑕疵的”焊点易于发生电学和/或机械故障。改进的制造方法和/或改进的接触夹几何结构可以有助于克服这些问题。

发明内容

本发明提出一种改进的制造方法和具有改进的接触夹几何结构的半导体器件,以克服上面讨论的现有技术中的问题。

这里公开的各个方面属于半导体器件,该半导体器件包括:

载体,包括管芯焊盘和接触部,

半导体管芯,包括第一主面和相对的第二主面,所述半导体管芯通过第一焊点附接在所述管芯焊盘上,以致所述第二主面面向所述管芯焊盘,和

接触夹,包括第一接触区和第二接触区,所述第一接触区通过第二焊点附接在所述半导体管芯的所述第一主面上,且所述第二接触区通过第三焊点附接在所述接触部上,

其中所述第一接触区具有面向所述半导体管芯的所述第一主面的凸形,以致所述第一主面和所述第一接触区之间的距离从所述凸形的根部向所述第一接触区的边缘增加,

其中所述根部沿着基本垂直于所述接触夹的纵轴的直线延伸,

其中所述接触夹沿着其纵轴具有一致的宽度,且

其中所述直线沿着整个宽度延伸。

这里公开的各个方面属于半导体器件,其中该半导体器件包括:

载体,包括管芯焊盘和接触部,

半导体管芯,包括第一主面和相对的第二主面,所述半导体管芯通过第一焊点附在所述管芯焊盘上,以致所述第二主面面向所述管芯焊盘,和

接触夹,包括第一接触区和第二接触区,所述第一接触区通过第二焊点附在所述半导体管芯的所述第一主面上,且所述第二接触区通过第三焊点附在所述接触部上,

其中所述第一接触区具有朝向所述半导体管芯的所述第一主面的凸形,以致所述第一主面和所述第一接触区之间的距离从所述凸形的根部向所述第一接触区的边缘增加,

其中所述根部沿着基本垂直于所述接触夹的纵轴的直线延伸,且其中所述凸形为具有圆整形尖端的V形。

这里公开的各个方面属于制造半导体器件的方法,该方法包括:提供包括管芯焊盘和接触部的载体,在管芯焊盘上沉积第一焊料沉积物且在接触部处沉积第三焊料沉积物,将包括第一主面和相对的第二主面的半导体管芯布置在第一焊料沉积物上、以致第二主面面向管芯焊盘,在半导体管芯的第一主面上沉积第二焊料沉积物,将包括第一接触区和第二接触区的接触夹布置在半导体管芯的上方、以致第一接触区与第二焊料沉积物相接触且第二接触区与第三焊料沉积物相接触,以及焊接第一、第二和第三焊料沉积物,其中第一接触区具有朝向半导体管芯的第一主面的凸形,以致第一主面和第一接触区之间的距离从凸形的根部向第一接触区的边缘增加,且其中基底沿着基本垂直于接触夹纵轴的直线延伸。

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