[实用新型]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件(100)，其特征在于包括：

载体(110)，包括管芯焊盘(112)和接触部(114)，

半导体管芯(120)，包括第一主面(120 1)和相对的第二主面(120 2)，所述半导体管芯(120)通过第一焊点(130)附接在所述管芯焊盘(112)上，以致所述第二主面(120 2)面向所述管芯焊盘(112)，和

接触夹(140)，包括第一接触区(142)和第二接触区(144)，所述第一接触区(142)通过第二焊点(132)附接在所述半导体管芯(120)的所述第一主面(120 1)上，且所述第二接触区(144)通过第三焊点(134)附接在所述接触部(114)上，

其中所述第一接触区(142)具有面向所述半导体管芯(120)的所述第一主面(120 1)的凸形，以致所述第一主面(120 1)和所述第一接触区(142)之间的距离从所述凸形的根部(146)向所述第一接触区(142)的边缘(148)增加，

其中所述根部(146)沿着基本垂直于所述接触夹(140)的纵轴(149)的直线(147)延伸，

其中所述接触夹(140)沿着其纵轴(149)具有一致的宽度，且

其中所述直线(147)沿着整个宽度延伸。

2.根据权利要求1所述的半导体器件(100)，其特征在于所述距离从所述根部(146)向所述边缘(148)单调递增。

3.根据权利要求2所述的半导体器件(100)，其特征在于所述距离为严格单调递增。

4.根据权利要求1到3之一所述的半导体器件(100)，其特征在于所述直线(147)在200μm的误差范围内与所述半导体管芯(120)的中心轴(121)相重合。

5.根据权利要求4所述的半导体器件(100)，其特征在于所述直线(147) 在150μm的误差范围内与所述半导体管芯(120)的中心轴(121)相重合。

6.根据权利要求5所述的半导体器件(100)，其特征在于所述直线(147)在100μm的误差范围内与所述半导体管芯(120)的中心轴(121)相重合。

7.根据权利要求1到3之一所述的半导体器件(100)，其特征在于所述接触夹(140)的所述第二接触区(144)包括向下弯曲的端部(145)，该端部包括切断面，且其中所述切断面面向所述接触部(114)。

8.根据权利要求1到3之一所述的半导体器件(100)，其特征在于所述接触夹(140)的所述第一接触区(142)和所述第二接触区(144)是基本平直的。

9.根据权利要求1到3之一所述的半导体器件(100)，其特征在于所述第一焊点(130)是平坦的，以致所述半导体管芯(120)的所述第二主面(120 2)到所述管芯焊盘(112)的垂直距离在15μm的误差范围内。

10.根据权利要求9所述的半导体器件(100)，其特征在于所述半导体管芯(120)的所述第二主面(120 2)到所述管芯焊盘(112)的垂直距离在10μm的误差范围内。

11.根据权利要求10所述的半导体器件(100)，其特征在于所述半导体管芯(120)的所述第二主面(120 2)到所述管芯焊盘(112)的垂直距离在5μm的误差范围内。

12.根据权利要求11所述的半导体器件(100)，其特征在于所述半导体管芯(120)的所述第二主面(120 2)到所述管芯焊盘(112)的垂直距离在2μm的误差范围内。