[实用新型]一种LED集成芯片

说明书

本实用新型公开了一种LED集成芯片，包括硅衬底和多个LED芯片，所述的LED芯片包括基础衬底、N型外延层以及P型外延层，且N型外延层设置在基础衬底与P型外延层之间；硅衬底的顶面于每个LED芯片处均具有两个分离的金属层，P型外延层和N型外延层分别通过焊球倒装焊接在所述的两个金属层上；金属层与硅衬底的结合区分别还设置有第一隔离层；硅衬底的上表面设置有多个凹槽，多个LED芯片对应位于多个凹槽内，相邻LED芯片的金属层相连接后引出阳极端和阴极端；凹槽内填充有透明绝缘的树脂层，金属层覆盖于凹槽的底面和侧面，且所述的金属层的外表面为反光面；本实用新型的有益效果是：该LED集成芯片具有发光效率高、散热效果好的优点。

技术领域

本实用新型涉及发光装置技术领域，更具体的说，本实用新型涉及一种LED集成芯片。

背景技术

将LED芯片倒扣在硅衬底上的封装形式称之为倒装LED。传统的倒装LED为平面型结构，这种传统的倒装LED的PN结在正面、侧面和底面均会发光，但是由于侧面即底面发出的光都被散射出去，因而没有被充分利用，造成LED的发光效率较低，使得正面出光的强度降低。

正装芯片技术是传统的微电子封装技术，其技术成熟，应用范围最广泛。目前绝大多数LED均为正装LED，LED芯片正装在一个带有反射杯的支架上，其P型外延层、N型外延层分别通过金属线焊接在阳极和阴极引线上，这种正装LED虽然有反射杯，可反射侧面的光使其从正面射出，但是效果仍然不够好，正面出光会被金属焊线遮蔽，如衬底为绝热材料时，其散热性差。同时，这种正装LED较难实现多芯片集成。

实用新型内容

为了克服现有技术的不足，本实用新型提供一种LED集成芯片，该LED集成芯片具有发光效率高、散热效果好的优点。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：一种LED集成芯片，其改进之处在于：包括硅衬底和多个LED芯片，所述的LED芯片包括基础衬底、N型外延层以及P型外延层，且N型外延层设置在基础衬底与P型外延层之间；

所述硅衬底的顶面于每个LED芯片处均具有两个分离的金属层，所述的P型外延层和N型外延层分别通过焊球倒装焊接在所述的两个金属层上；所述的金属层与硅衬底的结合区分别还设置有第一隔离层；

所述硅衬底的上表面设置有多个凹槽，所述的多个LED芯片对应位于多个凹槽内，相邻LED芯片的金属层相连接后引出阳极端和阴极端；所述凹槽内填充有透明绝缘的树脂层，所述金属层覆盖于凹槽的底面和侧面，且所述的金属层的外表面为反光面。

在上述的结构中，所述金属层的一端与硅衬底之间设置有第二隔离层。

在上述的结构中，所述的多个LED芯片之间采用串联或并联或串并联组合连接。

在上述的结构中，所述LED集成芯片还包括保护层，且保护层位于金属层与树脂层之间，覆盖在金属层外表面。

在上述的结构中，所述的硅衬底为P型或N型，所述第一隔离层与硅衬底极性相反。

在上述的结构中，所述的树脂层内填充有荧光风。

在上述的结构中，所述的金属层为金属铝或硅铝合金。

本实用新型的有益效果是：金属层覆盖于凹槽的底面和侧面，LED芯片的PN结在侧面和底面发出的光线遇到凹槽的底面和侧面覆盖的金属层后发生反射，发射的光线从正面射出，因此无论是从PN结的正面、底面还是侧面发出的光线都得到了有效利用，不会造成侧面和底面光线的浪费，提高了发光效率。通过第一隔离层将热量传递至硅衬底，金属层的面积较大，覆盖了凹槽的底面和侧面，热量较为分散，散热效果好，提高了LED集成芯片的使用寿命。

附图说明

图1为本实用新型的一种LED集成芯片的剖面结构示意图。

具体实施方式