[实用新型]一种LED集成芯片有效
| 申请号: | 201922020267.8 | 申请日: | 2019-11-21 |
| 公开(公告)号: | CN210837759U | 公开(公告)日: | 2020-06-23 |
| 发明(设计)人: | 钟胜萍 | 申请(专利权)人: | 深圳市鑫科光电科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/46 |
| 代理公司: | 深圳市深可信专利代理有限公司 44599 | 代理人: | 刘昌刚 |
| 地址: | 518000 广东省深圳市光明*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 led 集成 芯片 | ||
1.一种LED集成芯片,其特征在于:包括硅衬底和多个LED芯片,所述的LED芯片包括基础衬底、N型外延层以及P型外延层,且N型外延层设置在基础衬底与P型外延层之间;
所述硅衬底的顶面于每个LED芯片处均具有两个分离的金属层,所述的P型外延层和N型外延层分别通过焊球倒装焊接在所述的两个金属层上;所述的金属层与硅衬底的结合区分别还设置有第一隔离层;
所述硅衬底的上表面设置有多个凹槽,所述的多个LED芯片对应位于多个凹槽内,相邻LED芯片的金属层相连接后引出阳极端和阴极端;所述凹槽内填充有透明绝缘的树脂层,所述金属层覆盖于凹槽的底面和侧面,且所述的金属层的外表面为反光面。
2.根据权利要求1所述的一种LED集成芯片,其特征在于:所述金属层的一端与硅衬底之间设置有第二隔离层。
3.根据权利要求1所述的一种LED集成芯片,其特征在于:所述的多个LED芯片之间采用串联或并联或串并联组合连接。
4.根据权利要求1所述的一种LED集成芯片,其特征在于:所述LED集成芯片还包括保护层,且保护层位于金属层与树脂层之间,覆盖在金属层外表面。
5.根据权利要求1所述的一种LED集成芯片,其特征在于:所述的硅衬底为P型或N型,所述第一隔离层与硅衬底极性相反。
6.根据权利要求1所述的一种LED集成芯片,其特征在于:所述的树脂层内填充有荧光风。
7.根据权利要求1所述的一种LED集成芯片,其特征在于:所述的金属层为金属铝或硅铝合金。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





