[实用新型]一种降温装置及降温系统有效
申请号: | 201922014029.6 | 申请日: | 2019-11-20 |
公开(公告)号: | CN210607299U | 公开(公告)日: | 2020-05-22 |
发明(设计)人: | 左国军;申斌;任金枝 | 申请(专利权)人: | 常州捷佳创精密机械有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/67 |
代理公司: | 深圳市康弘知识产权代理有限公司 44247 | 代理人: | 朱建霞 |
地址: | 213000 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 降温 装置 系统 | ||
本实用新型公开了一种降温装置及降温系统,降温装置包括承载硅片的硅片载具、搬运所述硅片的机械手、安装在所述机械手上对所述硅片表面进行清理及降温的吹气组件、提供高压气体给所述吹气组件的气路组件。本实用新型提出的降温装置及降温系统,其吹气组件固定在机械手上可随着机械手动作,可有效清除硅片表面附着的制绒残液,并使得硅片的温度降低,避免硅片绒面造成局部破坏,有效的提高了产品的质量和可靠性。
技术领域
本实用新型涉及光伏清洗设备技术领域,更具体地说,是涉及一种降温装置及降温系统。
背景技术
目前,在太阳能硅片的湿法清洗工艺中,硅片在制绒过程中会散发大量的热量,并且发热过程会持续到硅片表面制绒药液清洗干净之前。硅片在制绒槽、水洗槽时,有槽液降温,在搬运机械手自动提硅片出制绒槽到完全进入水洗槽的过程中,硅片表面附着制绒残液会与硅片继续反应,并产生大量的热量,对硅片绒面造成局部破坏,影响了产品的质量和可靠性。因此,急需一款能安装在搬运机械手上,在硅片出制绒槽到完全进入水洗槽的过程中能清理硅片表面制绒残液,并对硅片进行降温的系统。
实用新型内容
本实用新型为了解决上述现有技术中硅片在制绒过程中,硅片表面附着制绒残液会与硅片继续反应,并产生大量的热量,对硅片绒面照成局部破坏的技术问题,提出一种降温装置及降温系统,以对硅片进行降温处理。
为了实现上述的目的,本实用新型的技术方案是:
一种降温装置,包括承载硅片的硅片载具、搬运所述硅片的机械手、安装在所述机械手上对所述硅片表面进行清理及降温的吹气组件、提供高压气体给所述吹气组件的气路组件。
所述吹气组件包括位于所述硅片载具上方且固定在所述机械手上的吹气管、设置在所述吹气管上的至少一个进气口和若干个出气口、安装在所述出气口上对所述硅片载具上的硅片表面进行吹气清理及降温的喷气嘴。
所述吹气管的两端固定连接有调节板,所述调节板上设有调节孔,所述机械手通过螺栓穿过所述调节孔与所述调节板固定,在所述机械手与所述调节板固定之前,所述螺栓可在所述调节孔范围内移动,从而旋转所述吹气管。
所述调节孔为圆弧腰型孔。
在一实施例中,所述气路组件包括通过管路依次连接的调压阀、气体流量计和电磁阀,所述调压阀的入口通过管路与主气路连接,所述电磁阀的出口通过管路与吹气管上的进气口连接。
在另一实施例中,所述气路组件包括通过管路依次连接的调压阀、储气罐、气体流量计和电磁阀,所述调压阀的入口通过管路与主气路连接,所述电磁阀的出口通过管路与吹气管上的进气口连接。
所述管路采用耐腐蚀软管。
所述吹气管由耐腐蚀厚壁管或由耐腐蚀厚板形成内部空腔制成。
所述喷气嘴位于所述吹气管的底端,所述喷气嘴由耐腐蚀材料制成。
另外,本实用新型还提出了一种降温系统,所述降温系统包括上述的降温装置。
与现有技术相比,本实用新型具有以下有益效果:
本实用新型提出的降温装置及降温系统,其吹气组件固定在机械手上可随着机械手动作,可有效清除硅片表面附着的制绒残液,并使得硅片的温度降低,避免硅片绒面造成局部破坏,有效的提高了产品的质量和可靠性。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图。
图2是图1中的A-A剖视图。
图3是本实用新型的调节板的结构示意图。
图4是本实用新型的一个实施例的气路原理图。
图5是本实用新型的另一个实施例的气路原理图。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于常州捷佳创精密机械有限公司,未经常州捷佳创精密机械有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201922014029.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的