[实用新型]一种提高毛细管与芯片耦合接触面积的装置

说明书

本实用新型涉及一种提高毛细管与芯片耦合接触面积的装置，包括一光纤、一毛细管与一芯片，所述毛细管的一端与所述光纤连接，所述毛细管的另一端与所述芯片连接，所述光纤远离所述毛细管的一端处设有一光纤连接组件，所述光纤穿过所述毛细管与所述芯片连接。本实用新型涉及的提高毛细管与芯片耦合接触面积的装置具有提高剪切力、提高耦合效率等优点。

技术领域

本实用新型涉及光纤通信技术领域，特别是一种提高毛细管与芯片耦合接触面积的装置。

背景技术

常规的AWG(Arrayed Waveguide Grating，阵列波导光栅)成品FA(FiberArray，光纤阵列)或毛细管与芯片耦合后要求剪切力大于1～2Kg。

然而一般芯片宽度与FA或毛细管的宽度不同，耦合后存在宽度差，耦合接触面积相差较大，耦合后因两个部件上的胶量相差较大，内部存在较大的应力，从而影响产品的耦合效率，而且因接触面积不同，耦合后剪切力不方便管控。

为此我们研发了一种提高毛细管与芯片耦合接触面积的装置，用以解决以上缺点。

实用新型内容

本实用新型目的是为了克服现有技术的不足而提供一种提高毛细管与芯片耦合接触面积的装置，具有提高剪切力、提高耦合效率等优点。

为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种提高毛细管与芯片耦合接触面积的装置，包括一光纤、一毛细管与一芯片，所述毛细管的一端与所述光纤连接，所述毛细管的另一端与所述芯片连接，所述光纤远离所述毛细管的一端处设有一光纤连接组件，所述光纤穿过所述毛细管与所述芯片连接。

优选的，所述毛细管为圆柱结构，所述毛细管与所述光纤通过透明胶连接。

优选的，所述毛细管包括一毛细管端面，所述芯片包括一芯片端面，所述毛细管端面与所述芯片端面通过耦合胶连接。

优选的，所述芯片的外径与所述毛细管的外径相同。

优选的，所述耦合胶包括上耦合胶和下耦合胶，所述毛细管的顶端与所述芯片的顶端通过所述上耦合胶耦合，所述上耦合胶的厚度为H1。

优选的，所述毛细管的底端与所述芯片的底端通过所述下耦合胶耦合，所述下耦合胶的厚度为H2。

优选的，所述H1与所述H2相等。

由于上述技术方案的运用，本实用新型与现有技术相比具有下列优点：

本实用新型所述提高毛细管与芯片耦合接触面积的装置，毛细管和光纤的截面外径相同，提高了光纤的剪切力，提高了光纤的耦合效率。

附图说明

附图1为本实用新型所述提高毛细管与芯片耦合接触面积的装置的连接示意图；

附图2为本实用新型附图1中A处的放大图；

其中：10、光纤连接组件；

20、光纤；25、透明胶；

30、毛细管；35、毛细管端面；

40、芯片；45、芯片端面；

50、耦合胶；51、上耦合胶；52、下耦合胶。

具体实施方式

下面结合附图及具体实施例对本实用新型作进一步的详细说明。