[实用新型]一种半导体硅环刻蚀洗净装置有效
| 申请号: | 201921994907.9 | 申请日: | 2019-11-18 |
| 公开(公告)号: | CN211045399U | 公开(公告)日: | 2020-07-17 |
| 发明(设计)人: | 范明明;韩颖超;陈荣贵;李长苏 | 申请(专利权)人: | 杭州大和热磁电子有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L21/67 |
| 代理公司: | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人: | 尉伟敏 |
| 地址: | 310053 浙江省杭*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 半导体 刻蚀 洗净 装置 | ||
1.一种半导体硅环刻蚀洗净装置,其特征是,包括机身,机身上设有刻蚀槽、放置架和第一驱动电机,放置架包括连接杆和用于固定硅环的转动架,连接杆与机身连接,转动架与连接杆转动连接,第一驱动电机通过传动机构带动转动架转动。
2.根据权利要求1所述的一种半导体硅环刻蚀洗净装置,其特征是,所述机身上设有纯水槽和第二驱动电机,纯水槽设置在刻蚀槽一旁,连接杆与机身转动连接,第二驱动电机驱动连接杆转动。
3.根据权利要求1所述的一种半导体硅环刻蚀洗净装置,其特征是,所述传动机构包括若干个依次啮合的齿轮,齿轮与连接杆转动连接。
4.根据权利要求1或2或3所述的一种半导体硅环刻蚀洗净装置,其特征是,所述刻蚀槽上设有进水口和出水口,进水口设置在刻蚀槽上部,出水口设置在刻蚀槽下部。
5.根据权利要求4所述的一种半导体硅环刻蚀洗净装置,其特征是,所述刻蚀槽内侧壁靠近上端的位置设有溢流槽,溢流槽与出水口连通。
6.根据权利要求1或2或3所述的一种半导体硅环刻蚀洗净装置,其特征是,所述刻蚀槽底部设有用于产生气泡的鼓泡装置。
7.根据权利要求6所述的一种半导体硅环刻蚀洗净装置,其特征是,所述鼓泡装置的出气端设有出气管,出气管环绕在刻蚀槽底部,出气管上设有若干个出气口。
8.根据权利要求 2所述的一种半导体硅环刻蚀洗净装置,其特征是,所述机身上设有上盖,上盖包括操作门板、左集气装置和右集气装置组成,左集气装置布置在刻蚀槽正上方,右集气装置布置在纯水槽正上方。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





