[实用新型]一种半导体硅环刻蚀洗净装置有效

专利信息
申请号: 201921994907.9 申请日: 2019-11-18
公开(公告)号: CN211045399U 公开(公告)日: 2020-07-17
发明(设计)人: 范明明;韩颖超;陈荣贵;李长苏 申请(专利权)人: 杭州大和热磁电子有限公司
主分类号: H01L21/677 分类号: H01L21/677;H01L21/67
代理公司: 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 代理人: 尉伟敏
地址: 310053 浙江省杭*** 国省代码: 浙江;33
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 半导体 刻蚀 洗净 装置
【权利要求书】:

1.一种半导体硅环刻蚀洗净装置,其特征是,包括机身,机身上设有刻蚀槽、放置架和第一驱动电机,放置架包括连接杆和用于固定硅环的转动架,连接杆与机身连接,转动架与连接杆转动连接,第一驱动电机通过传动机构带动转动架转动。

2.根据权利要求1所述的一种半导体硅环刻蚀洗净装置,其特征是,所述机身上设有纯水槽和第二驱动电机,纯水槽设置在刻蚀槽一旁,连接杆与机身转动连接,第二驱动电机驱动连接杆转动。

3.根据权利要求1所述的一种半导体硅环刻蚀洗净装置,其特征是,所述传动机构包括若干个依次啮合的齿轮,齿轮与连接杆转动连接。

4.根据权利要求1或2或3所述的一种半导体硅环刻蚀洗净装置,其特征是,所述刻蚀槽上设有进水口和出水口,进水口设置在刻蚀槽上部,出水口设置在刻蚀槽下部。

5.根据权利要求4所述的一种半导体硅环刻蚀洗净装置,其特征是,所述刻蚀槽内侧壁靠近上端的位置设有溢流槽,溢流槽与出水口连通。

6.根据权利要求1或2或3所述的一种半导体硅环刻蚀洗净装置,其特征是,所述刻蚀槽底部设有用于产生气泡的鼓泡装置。

7.根据权利要求6所述的一种半导体硅环刻蚀洗净装置,其特征是,所述鼓泡装置的出气端设有出气管,出气管环绕在刻蚀槽底部,出气管上设有若干个出气口。

8.根据权利要求 2所述的一种半导体硅环刻蚀洗净装置,其特征是,所述机身上设有上盖,上盖包括操作门板、左集气装置和右集气装置组成,左集气装置布置在刻蚀槽正上方,右集气装置布置在纯水槽正上方。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州大和热磁电子有限公司,未经杭州大和热磁电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201921994907.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top