[实用新型]一种高可靠性可自恢复的锁存器结构有效
| 申请号： | 201921987985.6 | 申请日： | 2019-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN210958326U | 公开（公告）日： | 2020-07-07 |
| 发明（设计）人： | 白雨鑫;陈鑫;张颖;刘小雨;高翔;毛志明;单永欣;马丽萍;姚嘉祺;陈凯;施聿哲;金铮斐;李森;葛明慧;张骁煜 | 申请（专利权）人： | 南京航空航天大学 |
| 主分类号： | H03K19/003 | 分类号： | H03K19/003 |
| 代理公司： | 江苏圣典律师事务所 32237 | 代理人： | 韩天宇 |
| 地址： | 211106 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 可靠性 恢复 锁存器 结构 | ||
1.一种高可靠性可自恢复的锁存器结构，其特征在于，包含第一传输门、第二传输门、第一脉冲锁存单元、第二脉冲锁存单元和自恢复反相单元；
所述第一传输门的信号输入端和第二传输门的信号输入端相连，且第一传输门和第二传输门的两个门控端均分别接外界时钟信号、外界反相时钟信号；
所述第一脉冲锁存单元、第二脉冲锁存单元均包含第一PMOS管、第一NMOS管、第二PMOS管、第二NMOS管和门控单元；其中，所述门控单元包含第一输入端、第二输入端和反相输出端，其中，第二输入端用于输入外界反相时钟信号，反相输出端用于将第一信号输入端输入的信号反相输出；
所述第一NMOS管的源极分别和所述第二PMOS管的源极、门控单元的第一输入端、第一NMOS管的栅极、第二PMOS管的栅极相连，第一NMOS管的漏极和所述第一PMOS管的漏极相连；
所述第一PMOS管的源极连接外部电源，栅极分别和所述第二NMOS管的栅极、门口单元的反相输出端相连；
所述第二PMOS管的漏极和所述第二NMOS管的源极相连；所述第二NMOS管的源极接地；
所述第一脉冲锁存单元中第一NMOS管的源极和所述第一传输门的信号输出端相连，第二脉冲锁存单元中第一NMOS管的源极和所述第二传输门的信号输出端相连；
所述自恢复反相单元包含第五PMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管和第七NMOS管；
所述第五PMOS管的源极连接外界电源，漏极和第六PMOS管的源极相连，栅极分别和第七PMOS管的漏极、第五NMOS管的漏极、第七NMOS管的栅极相连；
所述第六PMOS管的栅极和所述第五NMOS管的栅极相连、漏极和所述第七PMOS管的源极相连；
所述第六NMOS管的栅极和所述第七PMOS管的栅极相连，漏极和所述第五NMOS管的源极相连，源极和所述第七NMOS管的漏极相连；
所述第七NMOS管的源极接地；
所述第六PMOS管的栅极和所述第一脉冲锁存单元中门控单元的第一输入端相连，第七PMOS管的栅极和所述第二脉冲锁存单元中门控单元的第一输入端相连。
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