[实用新型]硅基微显示屏

说明书

本实用新型提供了一种硅基微显示屏，其包括依次设置的硅基板、形成于所述硅基板上的若干子像素及完全覆盖所述硅基板及子像素的封装层，所述子像素包括阳极层、OLED层、阴极层、第一保护层及第二保护层，第二保护层设于所述阳极层、OLED层、阴极层及第一保护层的侧面。如此设置，防止OLED层被水汽和氧气入侵，延长硅基微显示屏的使用寿命。

技术领域

本实用新型涉及OLED显示器制造领域，尤其涉及一种硅基微显示屏。

背景技术

OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)显示器与CTR(CathodeRay Tube，阴极射线管)显示器、TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid CrystalDisplay，薄膜晶体管液晶显示器)相比具有更轻和更薄的外观设计、更宽的可视视角、更快的响应速度以及更低的功耗等特点，因此OLED显示器已逐渐作为下一代显示设备而备受人们的关注。

目前的OLED显示屏体大多采用蒸镀不同OLED材料实现OLED图形化，这种方法在像素密度低于700ppi时是没有问题的。但是当像素密度大于800ppi时，现有的制造技术将进入物理瓶颈，存在高像素密度图形化困难的问题。

另外，OLED采用的有机材料对水氧特别敏感，非常容易与渗透进来的水汽发生反应，影响电荷的注入，渗透进来的水汽和氧气还会与有机材料发生化学反应，这些反应是引起OLED器件性能下降、OLED器件寿命缩短的主要因素。因此OLED器件需要严格的封装材料来保护它们免受水和氧气的侵蚀。

因此，有必要提供一种新的硅基微显示屏，以解决上述问题。

发明内容

本实用新型的目的在于提供一种使用寿命较长的硅基微显示屏。

为实现上述目的，本实用新型提供了一种硅基微显示屏，其包括依次设置的硅基板、形成于所述硅基板上的若干子像素及完全覆盖所述硅基板及子像素的封装层，所述子像素包括阳极层、OLED层、阴极层、第一保护层及第二保护层，第二保护层设于所述阳极层、OLED层、阴极层及第一保护层的侧面。

作为本实用新型进一步改进的技术方案，还包括阴极连接层，所述第一保护层设有贯穿的导电孔，所述阴极连接层设于所述导电孔内及各子像素之间的间隙内。

作为本实用新型进一步改进的技术方案，所述阴极连接层的材质为铝。

作为本实用新型进一步改进的技术方案，所述阴极连接层的厚度为10毫米。

作为本实用新型进一步改进的技术方案，所述阴极层为铝，所述第一保护层为SiO₂，所述第二保护层为SiN。

作为本实用新型进一步改进的技术方案，所述OLED层包括有机发光层、位于阳极层与有机发光层之间的空穴注入层和空穴传输层以及位于阴极层与有机发光层之间的电子注入层和电子传输层。

作为本实用新型进一步改进的技术方案，所述封装层为SiO₂。

作为本实用新型进一步改进的技术方案，所述子像素对应位置的硅基板上设有过孔，所述阳极层包括与所述过孔一一对应的阳极单元。

作为本实用新型进一步改进的技术方案，所述阳极单元的宽度为5微米，所述子像素的间距为8微米。

本实用新型的有益效果是：本实用新型的硅基微显示屏通过在所述阳极层、OLED层、阴极层及第一保护层的侧面设置第二保护层，防止OLED层被水汽和氧气入侵，延长了硅基微显示屏的使用寿命。

附图说明

图1为本实用新型硅基微显示屏的结构示意图。

具体实施方式