[实用新型]硅基微显示屏有效
| 申请号： | 201921986612.7 | 申请日： | 2019-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN210443560U | 公开（公告）日： | 2020-05-01 |
| 发明（设计）人： | 杨小龙;杜晓松;周文斌;张峰;孙剑;高裕弟 | 申请（专利权）人： | 昆山梦显电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56;H01L51/00 |
| 代理公司： | 苏州携智汇佳专利代理事务所(普通合伙) 32278 | 代理人： | 钱伟 |
| 地址： | 215300 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅基微 显示屏 | ||
1.一种硅基微显示屏，其包括硅基板、形成于所述硅基板上的若干子像素及完全覆盖所述硅基板及子像素的封装层，其特征在于，所述子像素包括阳极层、OLED层、阴极层、第一保护层及第二保护层，第二保护层设于所述阳极层、OLED层、阴极层及第一保护层的侧面。
2.根据权利要求1所述的硅基微显示屏，其特征在于，还包括阴极连接层，所述第一保护层设有贯穿的导电孔，所述阴极连接层设于所述导电孔内及各子像素之间的间隙内。
3.根据权利要求2所述的硅基微显示屏，其特征在于，所述阴极连接层的材质为铝。
4.根据权利要求2所述的硅基微显示屏，其特征在于，所述阴极连接层的厚度为10毫米。
5.根据权利要求1所述的硅基微显示屏，其特征在于，所述阴极层为铝，所述第一保护层为SiO2，所述第二保护层为SiN。
6.根据权利要求1所述的硅基微显示屏，其特征在于，所述OLED层包括有机发光层、位于阳极层与有机发光层之间的空穴注入层和空穴传输层以及位于阴极层与有机发光层之间的电子注入层和电子传输层。
7.根据权利要求1所述的硅基微显示屏，其特征在于，所述封装层为SiO2。
8.根据权利要求1所述的硅基微显示屏，其特征在于，所述硅基板上子像素对应的位置设有过孔，所述阳极层包括与所述过孔一一对应的阳极单元。
9.根据权利要求8所述的硅基微显示屏，其特征在于，所述阳极单元的宽度为5微米，所述子像素的间距为8微米。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
