[实用新型]聚四氟乙烯覆铜板

说明书

本实用新型涉及一种聚四氟乙烯覆铜板，包括聚四氟乙烯介电层和第一铜箔，所述聚四氟乙烯介电层具有第一表面和与所述第一表面相背的第二表面，所述第一铜箔设置于所述聚四氟乙烯介电层的第一表面上，且所述聚四氟乙烯介电层与所述第一铜箔之间还设置有第一含氟偶联剂层。本实用新型的聚四氟乙烯覆铜板通过在聚四氟乙烯介质层与第一铜箔之间设置含氟偶联剂层，使得聚四氟乙烯覆铜板具有优异的抗剥性能和介电性能。

技术领域

本实用新型涉及覆铜板技术领域，特别是涉及聚四氟乙烯覆铜板。

背景技术

适用于制备高频微波覆铜板介质层的树脂有很多，包括聚四氟乙烯(PTFE)、聚苯醚(PPO/PPE)、聚酰亚胺(PI)、聚烯烃类树脂、双马来酰亚胺-三嗪共聚物(BT)等，其中，PTFE的介电常数和介电损耗最小，而且还具有良好的耐高低温和耐老化特性，是用于制作高频微波覆铜板介质层的最优树脂。但是，PPO、PI等树脂本身含有活性基团，具有较好的粘结性，制成的介质层可以与铜箔结合达到较好的抗剥性能，技术难度较低。而PTFE的材料特性有别于PPO、PI等树脂，PTFE的分子结构对称，结晶度高且不含活性基团，导致其表面能非常低，具有不粘的特性，所以将PTFE应用于覆铜板上时，制成的介质层无法与铜箔进行良好的粘接，导致覆铜板在后续加工应用过程中容易出现问题。

对此，传统工艺通常是对聚四氟乙烯进行萘钠处理，使聚四氟乙烯表面的氟原子被萘钠络合物反应脱除，同时形成大量的C＝C双键和含O原子的C＝O等极性基团，从而增加表面极性，提高聚四氟乙烯介质层与铜箔的粘接性能。但是萘钠处理的工艺对环境会造成极为严重的污染，国际范围内已明令禁止。除该方法外，目前并未有可行的方法可以解决铜箔与聚四氟乙烯介质层的粘结问题，只能通过利用微蚀、棕化、黑化等化学方法处理铜箔，但是使用化学方法处理会导致部分铜箔的报废，且报废率较高，最为重要的是，这些方法会增加铜箔的粗糙度，进而引起信号在高频传输过程中损耗加大，加重“趋肤效应”的影响。

实用新型内容

基于此，有必要针对上述问题，提供一种聚四氟乙烯覆铜板；所述聚四氟乙烯覆铜板通过在聚四氟乙烯介质层与铜箔之间设置含氟偶联剂层，使得聚四氟乙烯覆铜板具有优异的抗剥性能和介电性能。

一种聚四氟乙烯覆铜板，所述聚四氟乙烯覆铜板包括聚四氟乙烯介电层和第一铜箔，所述聚四氟乙烯介电层具有第一表面和与所述第一表面相背的第二表面，所述第一铜箔设置于所述聚四氟乙烯介电层的第一表面上，且所述聚四氟乙烯介电层与所述第一铜箔之间还设置有第一含氟偶联剂层。

进一步地，所述第一含氟偶联剂层设置为包括十三氟辛基三甲氧基硅烷、十三氟辛基三乙氧基硅烷、十七氟癸基三甲氧基硅烷、十七氟癸基三乙氧基硅烷、三氟丙基甲基二甲氧基硅烷中的至少一种制成的第一含氟偶联剂层。

进一步地，所述第一含氟偶联剂层的厚度为0.8μm～5μm。

进一步地，所述第一含氟偶联剂层的厚度为1μm～2μm。

进一步地，所述聚四氟乙烯覆铜板还包括第二铜箔，所述第二铜箔设置于所述聚四氟乙烯介电层的第二表面上，且所述聚四氟乙烯介电层与所述第二铜箔之间还设置有第二含氟偶联剂层。

进一步地，所述第一含氟偶联剂层设置为包括十三氟辛基三甲氧基硅烷、十三氟辛基三乙氧基硅烷、十七氟癸基三甲氧基硅烷、十七氟癸基三乙氧基硅烷、三氟丙基甲基二甲氧基硅烷中的至少一种制成的第一含氟偶联剂层。

进一步地，所述第二含氟偶联剂层的厚度为0.8μm～5μm。

进一步地，所述第二含氟偶联剂层的厚度为1μm～2μm。

本实用新型的聚四氟乙烯覆铜板，在不破坏聚四氟乙烯分子结构的情况下，通过在聚四氟乙烯介质层与铜箔之间设置含氟偶联剂层，使得聚四氟乙烯覆铜板具有优异的抗剥性能，且聚四氟乙烯覆铜板的D_k、D_f、PIM值等介电性能优异，满足使用需求。