[实用新型]场效晶体管结构有效
| 申请号： | 201921978963.3 | 申请日： | 2019-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN210692544U | 公开（公告）日： | 2020-06-05 |
| 发明（设计）人： | 廖昱程;刘峻志 | 申请（专利权）人： | 江苏时代全芯存储科技股份有限公司;江苏时代芯存半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京先进知识产权代理有限公司 11648 | 代理人： | 邵劲草;张雪竹 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶体管 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种场效晶体管结构，其特征在于，该场效晶体管结构包含：
一基板；
一源极汲极部，形成于该基板上，该源极汲极部包含一源极与一汲极；
一介电层，与该源极汲极部形成于同一层并电性隔离该源极与该汲极；
一闸极构成，与该源极汲极部位于不同层，该闸极构成包含一闸极导电层以及一闸极绝缘层，该闸极导电层形成于该介电层上，且该闸极绝缘层形成于该闸极导电层上并包覆该闸极导电层；以及
一半导体层，形成于该闸极绝缘层上并包覆该闸极绝缘层；
其中，该闸极构成介于该介电层与该半导体层之间，该源极汲极部耦接于该半导体层，且通过施加电压于该闸极导电层以于该半导体层中形成通道。
2.如权利要求1所述的场效晶体管结构，其特征在于，该闸极构成的一底侧与一顶侧相对，该闸极构成的一周边侧面介于该底侧与该顶侧之间，该底侧接触该介电层，且该半导体层形成于该顶侧与该周边侧面上。
3.如权利要求1所述的场效晶体管结构，其特征在于，在该源极至该汲极的一方向上，该源极和该汲极之间间距小于该半导体层的延伸长度。
4.如权利要求1所述的场效晶体管结构，其特征在于，更包含一间隔层，其中该半导体层介于该间隔层与该闸极绝缘层之间。
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