[实用新型]浮地驱动MOS控制回路

说明书

本实用新型公开了一种浮地驱动MOS控制回路，其包括变压器等，第一二极管的一端、第一电容的一端都与第一电阻的一端相连，第一二极管的另一端、第一电容的另一端都与第一辅助绕组相连，第一电阻的另一端、NMOS管的栅极与光耦的一端相连，第二电阻的一端与光耦的另一端相连，第二电阻的另一端与微处理器的第一引脚相连，第二二极管的一端、第二电容的一端都与NMOS管的漏极相连，第二二极管的另一端、第二电容的另一端都与主输出绕组相连。本实用新型减少损耗和便于驱动。

技术领域

本实用新型涉及一种回路，特别是涉及一种浮地驱动MOS控制回路。

背景技术

目前中低压PMOS管存在导通电阻较大的情况，功耗大，不方便驱动。

发明内容

本实用新型所要解决的技术问题是提供一种浮地驱动MOS控制回路，其减少损耗和便于驱动。

本实用新型是通过下述技术方案来解决上述技术问题的：一种浮地驱动MOS控制回路，其特征在于，其包括变压器、第一电阻、第二电阻、第一二极管、第二二极管、第三二极管、第一电容、第二电容、第三电容、NMOS管、光耦、微处理器，变压器包括第一辅助绕组、主输出绕组、第二辅助绕组，第一二极管的一端、第一电容的一端都与第一电阻的一端相连，第一二极管的另一端、第一电容的另一端都与第一辅助绕组相连，第一电阻的另一端、NMOS管的栅极与光耦的一端相连，第二电阻的一端与光耦的另一端相连，第二电阻的另一端与微处理器的第一引脚相连，第二二极管的一端、第二电容的一端都与NMOS管的漏极相连，第二二极管的另一端、第二电容的另一端都与主输出绕组相连，第三二极管的一端、第三电容的一端都与微处理器的第三引脚相连，第三二极管的另一端、第三电容的另一端都与第二辅助绕组相连。

优选地，所述第一电阻、第二电阻都为限流电阻。

优选地，所述第三电容的另一端、微处理器的第二引脚都接地。

优选地，所述微处理器MCU的型号为HT66F007。

优选地，所述第一电容、第二电容、第三电容都是储能电容。

本实用新型的积极进步效果在于：本实用新型减少损耗和便于驱动。

附图说明

图1为本实用新型浮地驱动MOS控制回路的电路图。

具体实施方式

下面结合附图给出本实用新型较佳实施例，以详细说明本实用新型的技术方案。

如图1所示，本实用新型浮地驱动MOS控制回路包括变压器T1、第一电阻R1、第二电阻R2、第一二极管D1、第二二极管D2、第三二极管D3、第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、NMOS管Q1、光耦U1、微处理器U2，变压器T1包括第一辅助绕组N1、主输出绕组N2、第二辅助绕组N3，第一二极管D1的一端、第一电容C1的一端都与第一电阻R1的一端相连，第一二极管D1的另一端、第一电容C1的另一端都与第一辅助绕组N1相连，第一电阻R1的另一端、NMOS管Q1的栅极与光耦U1的一端相连，第二电阻R2的一端与光耦U1的另一端相连，第二电阻R2的另一端与微处理器U2的第一引脚相连，第二二极管D2的一端、第二电容C2的一端都与NMOS管Q1的漏极相连，第二二极管D2的另一端、第二电容C2的另一端都与主输出绕组N2相连，第三二极管D3的一端、第三电容C3的一端都与微处理器U2的第三引脚相连，第三二极管D3的另一端、 第三电容C3的另一端都与第二辅助绕组N3相连。

第一电阻、第二电阻都为限流电阻，便于控制，第一电阻R1的好处是保护光耦，防止大电流损伤光耦，第二电阻R2的好处是光耦U1瞬间导通时，防止NMOS管震荡。

第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3都是储能电容，第三电容C3为微处理器U2提供瞬间高能量。