[实用新型]浮地驱动MOS控制回路

权利要求书

1.一种浮地驱动MOS控制回路，其特征在于，其包括变压器、第一电阻、第二电阻、第一二极管、第二二极管、第三二极管、第一电容、第二电容、第三电容、NMOS管、光耦、微处理器，变压器包括第一辅助绕组、主输出绕组、第二辅助绕组，第一二极管的一端、第一电容的一端都与第一电阻的一端相连，第一二极管的另一端、第一电容的另一端都与第一辅助绕组相连，第一电阻的另一端、NMOS管的栅极与光耦的一端相连，第二电阻的一端与光耦的另一端相连，第二电阻的另一端与微处理器的第一引脚相连，第二二极管的一端、第二电容的一端都与NMOS管的漏极相连，第二二极管的另一端、第二电容的另一端都与主输出绕组相连，第三二极管的一端、第三电容的一端都与微处理器的第三引脚相连，第三二极管的另一端、第三电容的另一端都与第二辅助绕组相连。

2.如权利要求1所述的浮地驱动MOS控制回路，其特征在于，所述第一电阻、第二电阻都为限流电阻。

3.如权利要求1所述的浮地驱动MOS控制回路，其特征在于，所述第三电容的另一端、微处理器的第二引脚都接地。

4.如权利要求1所述的浮地驱动MOS控制回路，其特征在于，所述微处理器MCU的型号为HT66F007。

5.如权利要求1所述的浮地驱动MOS控制回路，其特征在于，所述第一电容、第二电容、第三电容都是储能电容。