[实用新型]一种抗静电能力强的集成电路转接板

说明书

本实用新型涉及集成电路技术领域，且公开了一种抗静电能力强的集成电路转接板，包括衬底板，所述衬底板前侧的侧壁开设有TSV孔，所述衬底板前侧的侧壁均固定连接有隔离层，所诉TSV孔的孔壁固定连接有插塞，所述插塞贯穿隔离层，所述TSV孔的孔壁固定连接有第一接线箔，所述衬底板前侧的侧壁嵌设有横向二极管，所述横向二极管的接口处固定连接有第二接线箔，所述第一接线箔与第二接线箔之间固定连接有同一根互连线，所诉衬底板前侧的侧壁固定连接有ESD保护器。本实用新型有效的提高集成电路转接板的抗静电能力，提高了转接板使用的安全性。

技术领域

本实用新型涉及集成电路技术领域，尤其涉及一种抗静电能力强的集成电路转接板。

背景技术

半导体集成电路的目标之一是以较低的成本制造小型化、多功能的、大容量和/或高可靠性的半导体产品。随着半导体装置的集成度和存储容量增大，已经开发了用于堆叠单个芯片的三维(3D)封装。例如，已经采用了形成有穿透基底的通孔并在通孔中形成电极的硅通孔(Through-Silicon Via，简称TSV)接触技术作为可代替现有的引线键合技术的一类3D封装结构。为了减小连接线的长度，需要使用转接板来进行转接，从而降低集成电路板的尺寸。

现有的集成电路用的转接板噪使用时会产生静电，较强的静电会产生强电场将元件击穿，导致转接板损坏，从而导致集成电路短路，造成集成电路损坏。

实用新型内容

本实用新型的目的是为了解决现有技术中转接板在使用时产生的静电会击穿元件的问题，而提出的一种抗静电能力强的集成电路转接板。

为了实现上述目的，本实用新型采用了如下技术方案：

一种抗静电能力强的集成电路转接板，包括衬底板，所述衬底板前侧的侧壁开设有TSV孔，所述衬底板前侧的侧壁均固定连接有隔离层，所诉TSV孔的孔壁固定连接有插塞，所述插塞贯穿隔离层，所述TSV孔的孔壁固定连接有第一接线箔，所述衬底板前侧的侧壁嵌设有横向二极管，所述横向二极管的接口处固定连接有第二接线箔，所述第一接线箔与第二接线箔之间固定连接有同一根互连线，所诉衬底板前侧的侧壁固定连接有ESD保护器。

优选的，所述衬底板前侧的侧壁开设有多个隔离区。

优选的，所述衬底板前侧的侧壁固定连接有铜箔，所诉铜箔下侧的侧壁固定连接有凸块。

优选的，所述衬底板的具体材质为硅。

优选的，所述隔离区为开设于衬底板前侧侧壁的隔离槽。

优选的，所述ESD保护器为瞬态抑制二极管。

优选的，所述衬底板上侧的侧壁固定连接有用于保护互连线的防护板。

与现有技术相比，本实用新型提供了一种抗静电能力强的集成电路转接板，具备以下有益效果：

该抗静电能力强的集成电路转接板，通过设置的底板、TSV孔、隔离层、插塞、第一接线箔、横向二极管、第二接线箔、互连线和ESD保护器，当TVS二极管的两极受到反向瞬态高能量冲击时，ESD保护器能以10的负12次方秒量级的速度，将TVS二极管两极间的高阻抗变为低阻抗，吸收高达数千瓦的浪涌功率，使TVS二极管两极间的电压箝位于一个预定值，有效的保护集成电路中的精密元器件，免受各种静电浪涌脉冲的损坏，从而有效的提高集成电路转接板的抗静电能力，提高了转接板使用的安全性。

该装置中未涉及部分均与现有技术相同或可采用现有技术加以实现，本实用新型有效的提高集成电路转接板的抗静电能力，提高了转接板使用的安全性。

附图说明

图1为本实用新型提出的一种抗静电能力强的集成电路转接板的结构示意图；

图2为图1中A部分的结构示意图；

图3为图1中B部分的结构示意图；