[实用新型]一种元胞结构以及功率器件有效
| 申请号： | 201921951579.4 | 申请日： | 2019-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN210866181U | 公开（公告）日： | 2020-06-26 |
| 发明（设计）人： | 曾丹;史波;肖婷;敖利波 | 申请（专利权）人： | 珠海格力电器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京华夏泰和知识产权代理有限公司 11662 | 代理人： | 郭金鑫 |
| 地址： | 519070*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 结构 以及 功率 器件 | ||
1.一种元胞结构，其特征在于，包括：
第一绝缘部，所述第一绝缘部具有一端开口的容纳槽，且所述容纳槽的底面为弧形结构；
第一介质部，所述第一介质部设置于所述容纳槽的底部，且所述第一介质部远离所述底面的一侧开设有凹槽；
第二介质部，所述第二介质部设置于所述容纳槽内，且位于所述第一介质部远离所述底面的一侧，所述第一介质部和所述第二介质部之间具有预设间距；
第二绝缘部，设置于所述第一介质部和所述第二介质部之间。
2.根据权利要求1所述的元胞结构，其特征在于，所述第一介质部包括第一直线段、第二直线段以及弧形段，所述第一直线段和所述第二直线段分别与所述弧形段的两端连接。
3.根据权利要求2所述的元胞结构，其特征在于，所述第一直线段和所述第二直线段相互平行且间隔设置。
4.根据权利要求1所述的元胞结构，其特征在于，所述容纳槽的开口处设有第三介质部。
5.根据权利要求4所述的元胞结构，其特征在于，所述第三介质部远离所述容纳槽一侧设有金属层。
6.根据权利要求1所述的元胞结构，其特征在于，所述第一绝缘部的底部设有通孔，所述通孔连接至所述第一介质部。
7.一种功率器件，其特征在于，包括基板和设置于所述基板上的元胞结构，所述元胞结构为权利要求1-6任一项所述的元胞结构。
8.根据权利要求7所述的功率器件，其特征在于，所述基板包括依次层叠的第一离子层、第二离子层和晶体层，所述第一绝缘部从所述第一离子层远离所述第二离子层一侧的表面延伸至所述晶体层内部，且所述开口位于所述第一离子层远离所述第二离子层一侧的表面上。
9.根据权利要求8所述的功率器件，其特征在于，所述第二介质部贯穿所述第一离子层和所述第二离子层。
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