[实用新型]一种用于制备二维薄膜材料的载具

说明书

本申请涉及用于制备二维薄膜材料的载具。该用于制备二维薄膜材料的载具用于放置于CVD设备或真空高温设备内，包括：底托，一个或多个生长板，用于承载生长衬底，所述一个或多个生长板设置在底托上。本申请的载具能够适用于多种生产设备，使用过程简单，生产效率高。

技术领域

本申请涉及薄膜制备领域，特别是涉及用于制备二维薄膜材料的载具。

背景技术

二维薄膜材料，如石墨烯、六方氮化硼等具有优良电子学和光电子学性质，受到学界和产业界广泛的关注。高品质的二维薄膜材料多采用化学气相沉积法(Chemical VaporDeposition简称CVD)制备，主要包括高温下前驱体的裂解、在生长衬底上成核、生长以及拼接形成连续薄膜的过程。在规模化制备时，生长衬底的摆放、气流的设计对于所制备的材料品质至关重要，这些离不开生长载具的设计。也有一些二维薄膜材料采用高温退火工艺来制备，例如将多晶铜箔置于载具上，而后在真空高温设备内在高温退火来制备铜箔单晶。

目前，虽然已经公开了一些批量制备的载具，但是这些结构在实际应用中仍存在着诸多问题。比如空间利用率低、扩展性差、自动化传送样品时的流畅性差、载具装载生长衬底时的效率低等问题。

在所述背景技术部分公开的上述信息仅用于加强对本申请的背景的理解，因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

实用新型内容

本申请着重于解决上述问题，对提高生产效率、降低生产成本有着有益效果。

本申请提供一种用于制备二维薄膜材料的载具，用于放置于CVD设备或真空高温设备内，其特征在于，包括：

底托，

一个或多个生长板，用于承载生长衬底，所述一个或多个生长板设置在底托上。

在一种实施方式中，所述生长板上下方设有相互配合的限位结构，使得多个所述生长板可层叠地放置在所述底托上时，相邻两个所述生长板之间用所述限位结构间隔开。

在一种实施方式中，所述生长板为多个，每一所述生长板为平板结构，所述生长板的上表面为平面结构或者具有尺寸梯度的凹槽结构中的一种或几种；所述生长板的下表面为平面。

在一种实施方式中，所述生长板的上表面为具有尺寸梯度的凹槽结构，所述尺寸呈等差数列，凹槽深度范围为0.1mm-10mm。

在一种实施方式中，所述生长板为一个或多个，每一所述生长板为平板结构，所述生长板的上表面为具有曲率的弧面结构。

在一种实施方式中，所述曲率半径范围为1mm-60mm。

在一种实施方式中，所述底托的上表面为平面或者具有尺寸梯度的凹槽。

在一种实施方式中，所述生长板为弧形板，所述底托呈中心镂空结构，所述生长板架设在所述底托的中心镂空结构中。

在一种实施方式中，所述弧形板的弧形半径为10mm-300mm。

在一种实施方式中，所述底托为矩形，在直角处有倒角，矩形两端有方便进出样品的通槽。

本申请的载具能够适用于多种生产设备，可以用于CVD设备，从而采用CVD方法来生长二维薄膜材料；或者，可以用于真空高温设备，从而采用退火法来制备单晶金属箔材。本申请的载具使用过程简单，可以先根据需要安装载具，而后将生长衬底放置于生长板上，然后将载具移入到生产设备中，在生产设备中制备所需的二维薄膜材料；二维薄膜材料的制备完成之后，将载具取出，从载具上即可以得到制备得到的二维薄膜材料。

附图说明