[实用新型]一种具防粘黏涂层的晶圆级封装芯片接合膜有效

专利信息
申请号: 201921909124.6 申请日: 2019-11-07
公开(公告)号: CN211170549U 公开(公告)日: 2020-08-04
发明(设计)人: 伍得;廖述杭;吕志聪;苏峻兴 申请(专利权)人: 武汉市三选科技有限公司
主分类号: C09J7/10 分类号: C09J7/10;H01L21/683
代理公司: 武汉华强专利代理事务所(普通合伙) 42237 代理人: 温珊姗
地址: 430070 湖北省武汉市东湖新技术开*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 具防粘黏 涂层 晶圆级 封装 芯片 接合
【说明书】:

本实用新型公开了一种具防粘黏涂层的晶圆级封装芯片接合膜,该晶圆级封装芯片接合膜为多层结构,依次包括离型层、封装胶层、防静电结合胶层、切割胶层、树脂胶层,封装胶层形成于离型层之可剥离面上。本实用新型晶圆级封装芯片接合膜集成了封装和切割胶带功能,将其用于半导体晶圆的封装和切割工序,极大简化了工艺,可显著提高作业效率,抗沾黏层还可避免收卷时切割胶层间的粘黏现象。

技术领域

本实用新型属于半导体晶圆的封装、切割工艺领域,尤其涉及一种具防粘黏涂层的晶圆级封装芯片接合膜。

背景技术

半导体芯片是通过对半导体晶圆切割得到,为保护电子组件,切割前需对半导体晶圆进行封装。同时,还需要使用切割胶带粘住晶圆,以避免切割过程中晶圆和芯片发生位移、脱落或飞散。惯用的晶圆封装和切割工艺为:先对晶圆的电路形成面进行封装,再将切割胶带粘贴至晶圆背面;随后,从晶圆的电路形成面将晶圆切割分成单个芯片。该切割工艺较为繁琐,且还存在容易导致芯片崩角、飞片的问题。

发明内容

本实用新型的目的是提供一种同时具有封装和切割胶带功能的具防粘黏涂层的晶圆级封装芯片接合膜,该晶圆级封装芯片接合膜可极大简化半导体晶圆的封装和切割工序,显著提高作业效率;还可避免收卷时的粘黏现象。

本实用新型提供的具防粘黏涂层的晶圆级封装芯片接合膜为多层结构,依次包括离型层、封装胶层、防静电结合胶层、切割胶层、树脂胶层,封装胶层形成于离型层之可剥离面上。

本实用新型具防粘黏涂层的晶圆级封装芯片接合膜中,离型层为本实用新型的最外层,用来对封装胶层进行保护;封装胶层用来对晶圆进行封装,以完整保护晶圆;切割胶层起到切割胶带的作用,可减少切割时芯片的崩角、飞片等问题;防静电结合胶层用来粘合封装胶层和切割胶层;该封装膜收卷时,树脂胶层可避免切割胶层间的粘黏。

进一步的,离型层选自聚乙烯、聚丙烯、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯、聚乙烯基氯、乙烯基氯共聚物、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二酸酯、聚胺基甲酸酯、乙烯-乙酸乙烯酯、离子交联聚合物树脂、乙烯/(甲烯)丙烯酸共聚物、乙烯/(甲烯)丙烯酸酯共聚物、聚苯乙烯、聚碳酸酯、醋酸纤维素、三醋酸纤维素、聚酰亚胺及含氟树脂。离型层厚度通常为5~300微米,较好为10~200微米,更佳为20~150微米。

进一步的,封装胶层选择常规的高分子复合物封装胶,例如热固性树脂封装胶。封装胶层厚度通常为5~40微米,以7~35微米为较佳。

进一步的,防静电结合胶层选择UV或非UV防静电胶,可采用通用的AS-PSA防静电胶带。

进一步的,切割胶层为TPU胶层,即热塑性聚氨酯弹性体橡胶,可采用现成的切割胶带。切割胶层厚度通常为10~200微米,以50~150微米为佳。

进一步的,树脂胶层优选为PU树脂胶层(即聚氨酯树脂层)或亚克力树脂胶层(即聚甲基丙烯酸甲酯层);树脂胶层厚度为5~10微米。

本实用新型具有如下特点和有益效果:

(1)本实用新型接合膜集成了封装和切割胶带功能,将其用于半导体晶圆的封装和切割工序,极大简化了工艺,可显著提高作业效率,树脂胶层还可避免收卷时切割胶层间的粘黏现象。

(2)防静电结合胶层不仅可用于粘合封装胶层和切割胶层,由于防静电结合胶层和TPU胶层之间的剥离力高,还可进一步避免切割时芯片的崩角和飞片等现象。

(3)本实用新型接合膜具有优异的防静电电阻、极高的透光率、以及低雾度,低的防静电电阻使得封装后不会影响半导体芯片的性能;极高的透光率有利于防静电结合胶层的紫外光固化;低雾度有利于在封装和切割工序中对半导体晶圆进行观察。

附图说明

图1为实施例中晶圆级封装芯片接合膜的一种具体结构图;

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