[实用新型]一种半导体结构

说明书

本申请的实施例提供了一种半导体结构，涉及微电子技术领域。该半导体结构包括：立方体硅(110)衬底，所述立方体硅(110)衬底的一个表面包括多个矩形的子表面，相邻的两个所述子表面之间设置有隔离带；以及形成在所述子表面上的氮化物半导体层。通过将硅(110)衬底的一个表面设置成多个矩形的子表面，且将氮化物半导体层形成在该矩形的子表面上，从而使得形成在矩形的子表面上的氮化物半导体层的翘曲可以对称，进而有效降低翘曲对半导体器件性能的影响，提高了半导体器件的良品率，以及提高晶片承载盘的面积使用率。

技术领域

本申请涉及微电子技术领域，具体涉及一种半导体结构。

背景技术

硅材料是目前应用最广泛、制备技术最成熟的半导体材料，由于单晶硅材料生长技术成熟度高，容易获得低成本、大尺寸、高质量的衬底，可大大降低半导体器件的造价；此外硅单晶已经大规模应用于微电子领域，与蓝宝石相比具有热导率高、导电性好等性能，更适用于大功率器件的制备。然而，单晶硅与GaN之间存在很大的晶格失配(16.9％)和热失配(57％)，与AlN之间也存在很大的晶格失配(19％)和热失配(44％)，外延生长过程中GaN/AlN薄膜会受到巨大的热应力而导致外延层产生大量缺陷，甚至翘曲，影响材料和器件的性能以及热稳定性。

实用新型内容

有鉴于此，本申请实施例致力于提供一种半导体结构和半导体结构的制备方法，以解决现有技术中半导体器件良品率低的问题。

本申请一方面提供了一种半导体结构，包括：立方体硅(110)衬底，所述立方体硅(110)衬底的一个表面包括多个矩形的子表面，相邻的两个所述子表面之间设置有隔离带；以及形成在所述子表面上的氮化物半导体层。

在本申请的一个实施例中，所述氮化物半导体层采用的材料包括AlN、GaN或AlGaN。

本申请另一方面提供了一种半导体结构的制备方法，包括：提供立方体硅(110)衬底；在所述硅(110)衬底的一个表面上形成多个矩形的子表面，其中相邻的两个所述子表面之间设置有隔离带；以及在所述子表面上形成氮化物半导体层。

在本申请的一个实施例中，所述氮化物半导体层采用的材料包括AlN、GaN或AlGaN。

在本申请的实施例中，通过将立方体硅(110)衬底的一个表面设置成多个矩形的子表面，且将氮化物半导体层形成在该矩形的子表面上，从而使得形成在矩形的子表面上的氮化物半导体层的翘曲可以对称，进而有效降低翘曲对半导体器件性能的影响，提高了半导体器件的良品率，并且提高晶片承载盘的面积使用率。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1是根据本申请一个实施例的半导体结构的示意性结构图。

图2是根据本申请一个实施例的半导体结构的截面示意性结构图。

图3是根据本申请一个实施例的半导体结构的制备方法的示意性流程图。

图4是现有技术承载盘的示意性结构图。

图5是根据本申请一个实施例的承载盘的示意性结构图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

在可能的情况下，附图中相同或相似的部分将采用相同的附图标记。