[实用新型]一种半导体结构有效
| 申请号： | 201921863358.1 | 申请日： | 2019-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN210429825U | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 程凯;刘凯 | 申请（专利权）人： | 苏州晶湛半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/20;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京布瑞知识产权代理有限公司 11505 | 代理人： | 李浩 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市苏州工*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
立方体硅(110)衬底，所述立方体硅(110)衬底的一个表面包括多个矩形的子表面，相邻的两个所述子表面之间设置有隔离带；以及
形成在所述子表面上的氮化物半导体层。
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述氮化物半导体层采用的材料包括AlN、GaN或AlGaN。
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