[实用新型]防止功能开关误动作的电路装置及车载设备

权利要求书

1.一种防止功能开关误动作的电路装置，其特征在于，所述电路装置包括：检测电路和稳压电路，其中：

所述检测电路包括：与控制器电源输出端串联的第一电阻和与所述第一电阻串联后接地的NMOS晶体管；

所述稳压电路包括：第二电阻，所述第二电阻的一端与所述NMOS晶体管的栅极连接，所述第二电阻的另一端与第一二极管的负极连接，所述第一二极管的正极与稳压二极管的正极连接，所述稳压二极管的负极作为所述稳压电路的输出端；且所述稳压二极管的负极经第四电阻后接地；所述稳压电路还包括：与所述NMOS晶体管的栅极连接且与所述第二电阻并联的第三电阻，且所述第三电阻与所述NMOS晶体管连接后接地。

2.如权利要求1所述的防止功能开关误动作的电路装置，其特征在于，所述稳压电路还包括：在电路中起电压缓冲作用的第一电容，所述第一电容并联在所述第三电阻的两端。

3.如权利要求1所述的防止功能开关误动作的电路装置，其特征在于，所述检测电路中的NMOS晶体管的源极与所述第一电阻连接，所述NMOS晶体管的漏极接地。

4.如权利要求1或2或3所述的防止功能开关误动作的电路装置，其特征在于，所述检测电路中设置有功能开关检测点，所述检测电路通过识别所述功能开关检测点的高低电平，判断所述功能开关的断开与闭合。

5.如权利要求4所述的防止功能开关误动作的电路装置，其特征在于，所述检测电路识别出所述功能开关检测点当前处于高电平时，判断所述功能开关处于断开状态；

当所述检测电路识别出所述功能开关检测点当前处于低电平时，判断所述功能开关处于闭合状态。

6.如权利要求5所述的防止功能开关误动作的电路装置，其特征在于，所述功能开关检测点设置在所述第一电阻与NMOS晶体管的连接处；

所述检测电路通过判断所述NMOS晶体管当前所处的状态为导通状态还是截止状态，从而识别出所述功能开关检测点当前所处的电平状态是低电平还是高电平。

7.如权利要求6所述的防止功能开关误动作的电路装置，其特征在于，所述功能开关断开时，所述NMOS晶体管的栅极电压为0，此时所述NMOS晶体管不导通，所述功能开关检测点处于高电平；

所述功能开关闭合时，所述NMOS晶体管的栅极电压大于所述NMOS晶体管的开启电压，所述NMOS晶体管导通，此时所述NMOS晶体管处于导通状态，所述功能开关检测点处于低电平。

8.如权利要求5所述的防止功能开关误动作的电路装置，其特征在于，所述功能开关处于浸水状态时，所述功能开关相当于与一个水电阻并联，则电源输出端通过所述水电阻向所述稳压电路供电；此时，所述稳压二极管的端电压小于所述稳压二极管的导通电压，所述稳压二极管处于截止状态，则所述NMOS晶体管的栅极电压为0，此时所述NMOS晶体管不导通，所述功能开关检测点处于高电平；

所述检测电路识别出所述功能开关检测点当前处于高电平时，即判断出所述功能开关仍处于断开状态。

9.一种车载设备，其特征在于，所述车载设备包括防止功能开关误动作的电路装置；所述防止功能开关误动作的电路装置包括检测电路和稳压电路，其中：

所述检测电路包括：与控制器电源输出端串联的第一电阻和与所述第一电阻串联后接地的NMOS晶体管；

所述稳压电路包括：第二电阻，所述第二电阻的一端与所述NMOS晶体管的栅极连接，所述第二电阻的另一端与第一二极管的负极连接，所述第一二极管的正极与稳压二极管的正极连接，所述稳压二极管的负极作为所述稳压电路的输出端；且所述稳压二极管的负极经第四电阻后接地；所述稳压电路还包括：与所述NMOS晶体管的栅极连接且与所述第二电阻并联的第三电阻，且所述第三电阻与所述NMOS晶体管连接后接地。

10.如权利要求9所述的车载设备，其特征在于，所述检测电路中设置有功能开关检测点，所述检测电路通过识别所述功能开关检测点的高低电平，判断所述功能开关的断开与闭合；

其中，所述功能开关检测点设置在所述第一电阻与NMOS晶体管的连接处；

所述检测电路通过判断所述NMOS晶体管当前所处的状态为导通状态还是截止状态，从而识别出所述功能开关检测点当前所处的电平状态是低电平还是高电平。