[实用新型]一种分拣倒装芯片的封盖平衡性填充封装结构

说明书

本实用新型涉及一种分拣倒装芯片的封盖平衡性填充封装结构，包含基板、倒装芯片、硅垫片和金属盖，金属盖焊接在基板上，倒装芯片位于金属盖内；倒装芯片与基板之间设置填充胶，倒装芯片背面的左右两侧上均设置有硅垫片；硅垫片的上下两侧均通过导热粘接层与金属盖盒倒装芯片粘连；本方案采用上下双层导热界面胶与左右两块硅垫片相结合的结构，保证最小散热接触面积，也保证金属盖粘贴时左右平衡无位置偏移，最终实现散热优良的封盖产品封装；导热界面胶的散热系数为3.4W/Mk，硅垫片的散热系数为149W/mK，实现了热量从薄型分拣倒装芯片到金属盖的快速传递，同时满足客户对封装类型的个性化追求。

技术领域

本实用新型涉及一种分拣倒装芯片的封盖平衡性填充封装结构，属于集成电路倒装芯片封装技术领域。

背景技术

芯片倒装焊接在基板或其他载板上时，一般需要在芯片凸块（bump）间埋入底部填充胶（underfiller），金属盖（Lid cover）底端通过粘接剂（adhensive）强力连接在基板或其他载板上予以支撑；金属盖的腔体顶端通过界面散热材料（TIM胶）连通到芯片背面（非电性能面）实现热传导，然后植球，切割成形。

而当分拣倒装芯片的厚度小于500μm，常规金属盖腔体深度高于800μm时，正常刷界面散热胶无法完全填满最小约300μm，甚至更大的间隙空间，并实现高效散热；从而只能采用塑封（EMC）类FCBGA封装，不能满足客户对封装形式的个性化要求；特别是在金属盖共享模具，统一大小，以保证成本最小化的前提下。

实用新型内容

本实用新型目的是为了克服现有技术的不足而提供一种分拣倒装芯片的封盖平衡性填充封装结构。

为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种分拣倒装芯片的封盖平衡性填充封装结构，包含基板、倒装芯片、硅垫片和金属盖，金属盖的边框通过焊接剂焊接在基板上，倒装芯片位于金属盖内；所述倒装芯片的正面具有多个凸块，倒装芯片与基板之间设置填充胶，倒装芯片背面的左右两侧上均设置有硅垫片；所述硅垫片通过其下侧的下导热粘接层粘贴在倒装芯片的背面，硅垫片的上侧通过上导热粘接层与金属盖粘连。

优选的，所述填充胶充满倒装芯片与基板之间的间隙，以及凸块与凸块之间的间隙。

优选的，所述下导热粘接层和上导热粘接层均由界面散热胶点涂形成。

优选的，所述基板的底部焊有锡球。

由于上述技术方案的运用，本实用新型与现有技术相比具有下列优点：

本方案采用上下双层导热界面胶与左右两块硅垫片相结合的结构，保证最小散热接触面积，也保证金属盖粘贴时左右平衡无位置偏移，最终实现散热优良的封盖产品封装；导热界面胶的散热系数为3.4W/Mk，硅垫片的散热系数为149W/mK，实现了热量从薄型分拣倒装芯片到金属盖的快速传递，同时满足客户对封装类型的个性化追求。

附图说明

下面结合附图对本实用新型技术方案作进一步说明：

附图1为本实用新型所述的一种分拣倒装芯片的封盖平衡性填充封装结构的示意图；

附图2为本实用新型所述的加工过程的第一步示意图；

附图3为本实用新型所述的加工过程的第二步示意图；

附图4为本实用新型所述的加工过程的第三步示意图；

附图5为本实用新型所述的加工过程的第四步示意图；

附图6为本实用新型所述的加工过程的第五步示意图；

附图7为本实用新型所述的加工过程的第六步示意图；

附图8为本实用新型所述的加工过程的第七步示意图；