[实用新型]光刻胶烘干装置

说明书

本实用新型提供一种光刻胶烘干装置，用于烘干涂覆在晶圆上的光刻胶，所述光刻胶烘干装置包括：至少一上烘干板、至少一下烘干板及一控制装置；所述上烘干板与所述下烘干板间隔设置，所述晶圆用于设置在所述上烘干板与下烘干板之间；所述控制装置分别与所述上烘干板及所述下烘干板连接，并控制所述上烘干板及所述下烘干板升温，以烘干所述光刻胶。本实用新型的优点在于，晶圆应力释放均匀，避免烘干后的光刻胶翘曲，甚至开裂；加速了自光刻胶中挥发出的溶剂的流动速度，保证了后续制程中形成的晶圆的关键尺寸相对均匀；大大缩短了单个晶圆的加热时间，提高了生产效率，节省了时间成本。

技术领域

本实用新型涉及半导体制造领域，尤其涉及一种光刻胶烘干装置。

背景技术

在3D NAND工艺中，为了减少光罩，节省光刻工艺时间，通常采用一次光刻制程结合多次刻蚀的方法。光刻胶经涂胶机涂覆后需进行烘烤，以挥发出光刻胶中的溶剂，保证光刻胶具有足够的硬度抵挡后续的刻蚀-去除(Etch-Trim)工艺中离子束的冲击，使刻蚀后的台阶层线条均匀笔直。随着3D NAND的发展，台阶数越来越多，对光刻胶厚度的要求越来越高，进而对光刻胶涂覆后的烘干的要求也越来越高。

目前的烘干方法会导致晶圆中心及边缘的光刻胶、晶圆上表面及上表面的光刻胶受热不均匀，导致烘干后的光刻胶的坚硬程度存在差异，甚至可能会导致光刻胶开裂，使得后续刻蚀工艺形成的晶圆的关键尺寸存在差异，影响晶圆的良率。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是，提供一种光刻胶烘干装置，其能够使晶圆上的光刻胶受热均匀，避免烘干后的光刻胶的坚硬程度存在差异，且能够缩短烘干时间。

为了解决上述问题，本实用新型提供了一种光刻胶烘干装置，用于烘干涂覆在晶圆上的光刻胶，所述光刻胶烘干装置包括：至少一上烘干板、至少一下烘干板及一控制装置；所述上烘干板与所述下烘干板间隔设置，所述晶圆用于设置在所述上烘干板与下烘干板之间；所述控制装置分别与所述上烘干板及所述下烘干板连接，并控制所述上烘干板及所述下烘干板升温，以烘干所述光刻胶。

进一步，所述上烘干板的大小配置为：在垂直所述晶圆的方向，所述上烘干板的正投影适于覆盖所述晶圆的正投影。

进一步，所述下烘干板的大小配置为：在垂直所述晶圆的方向，所述下烘干板的正投影适于覆盖所述晶圆的正投影。

进一步，所述上烘干板及所述下烘干板的横截面均为圆形。

进一步，所述光刻胶烘干装置包括多个层叠设置的上烘干板，在所述上烘干板与下烘干板的排列方向上，所述上烘干板位于所述下烘干板的同一侧。

进一步，所述光刻胶烘干装置包括多个层叠设置的下烘干板，在所述上烘干板与下烘干板的排列方向上，所述下烘干板位于所述上烘干板的同一侧。

进一步，所述上烘干板由多个矩阵排布的子块组成，所述子块之间机械连接，所述控制装置能够分别控制所述子块升温。

进一步，所述下烘干板由多个矩阵排布的子块组成，所述子块之间机械连接，所述控制装置能够分别控制所述子块升温。

进一步，所述光刻胶烘干装置还包括至少一侧面烘干板，所述侧面烘干板对应所述上烘干板与所述下烘干板之间的间隔设置，所述控制装置与所述侧面烘干板连接，并控制所述侧面烘干板升温，以烘干所述光刻胶。

进一步，所述侧面烘干板由多个矩阵排布的子块组成，所述子块之间机械连接，所述控制装置能够分别控制所述子块升温。