[实用新型]一种阵列基板、显示面板及显示装置有效
申请号: | 201921821206.5 | 申请日: | 2019-10-28 |
公开(公告)号: | CN210349837U | 公开(公告)日: | 2020-04-17 |
发明(设计)人: | 王琦 | 申请(专利权)人: | 上海和辉光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆 |
地址: | 201506 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 显示 面板 显示装置 | ||
本实用新型公开了一种阵列基板、显示面板及显示装置,包括:衬底和驱动电路层;驱动电路层包括多个像素电路;一行像素电路具有一条栅极金属线;栅极金属线包括第一栅极金属线和多个第二栅极金属线,第二栅极金属线包括第一分部和第二分部,第一分部的延伸方向与第一栅极金属线的延伸方向平行,第二分部连接第一分部与第一栅极金属线;一行像素电路包括第一像素电路;第一像素电路包括第一双栅薄膜晶体管;第一双栅薄膜晶体管包括第一有源层和一个第二栅极金属线,在垂直于衬底的方向上,第一有源层同时与第二栅极金属线的第一分部与第一栅极金属线交叠以构成第一双栅薄膜晶体管的双栅极。本实施例提供的阵列基板可以提高显示分辨率。
技术领域
本实用新型实施例涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板、显示面板及显示装置。
背景技术
有源矩阵有机发光二极管(Active Matric Organic Light-Emitting Diode,AMOLED)显示因具有快响应、高亮度、高对比度、低功耗以及易实现柔性透明等优点,被认为是下一代主流的显示技术。
目前,用于驱动AMOLED的薄膜晶体管主要有非晶硅薄膜晶体管、低温多晶硅薄膜晶体管和金属氧化物薄膜晶体管三种。然而,这三种薄膜晶体管都存在较大的漏电流、阈值电压不均匀等缺陷,使得它们在驱动发光结构时,不能提供稳定、均匀的电流,进而影响AMOLED显示的质量。近几年随着对双栅结构薄膜晶体管研究的进展,基于双栅薄膜晶体管的像素电路被提出,这些像素电路能够实现降低漏电流、阈值电压补偿等功能。然而,双栅薄膜晶体管的像素电路会导致像素密度被大大降低,进而不利于获得高分辨率的显示效果。
实用新型内容
本实用新型提供一种阵列基板、显示面板及显示装置,降低漏电流的同时可以提高显示装置的分辨率。
第一方面,本实用新型实施例提供了一种阵列基板,该阵列基板包括:衬底以及形成在所述衬底上的驱动电路层;
所述驱动电路层包括呈阵列排布的多个像素电路;一行所述像素电路具有一条栅极金属线;
所述栅极金属线包括第一栅极金属线和多个第二栅极金属线,所述第二栅极金属线包括第一分部和第二分部,所述第一分部的延伸方向与所述第一栅极金属线的延伸方向相同,所述第二分部连接所述第一分部与所述第一栅极金属线;
一行所述像素电路包括第一像素电路;所述第一像素电路包括第一双栅薄膜晶体管;
所述第一双栅薄膜晶体管包括第一有源层和一个所述第二栅极金属线,在垂直于所述衬底的方向上,所述第一有源层同时与所述第二栅极金属线的第一分部与所述第一栅极金属线交叠以构成所述第一双栅薄膜晶体管的双栅极。
进一步地,一行所述像素电路还包括第二像素电路;所述第一像素电路和所述第二像素电路间隔设置;
第二像素电路包括与所述第一双栅薄膜晶体管相邻的第二双栅薄膜晶体管;
所述第二双栅薄膜晶体管包括第二有源层和一个所述第二栅极金属线,在垂直于所述衬底的方向上,所述第二有源层同时与所述第二栅极金属线的第一分部与所述第一栅极金属线交叠以构成所述第二双栅薄膜晶体管的双栅极。
进一步地,一行所述像素电路中,相邻的所述第一双栅薄膜晶体管的所述第一分部的延伸方向和所述第二双栅薄膜晶体管的所述第一分部的延伸方向相反,且相邻的所述第一双栅薄膜晶体管的所述第一分部和所述第二双栅薄膜晶体管的所述第一分部相连。
进一步地,所述第一像素电路还包括与所述第一双栅薄膜晶体管相邻的第三双栅薄膜晶体管;
所述第三双栅薄膜晶体管包括第三有源层和一个所述第二栅极金属线,在垂直于所述衬底的方向上,所述第三有源层同时与所述第二栅极金属线的第一分部与所述第一栅极金属线交叠以构成所述第三双栅薄膜晶体管的双栅极;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的