[实用新型]一种阵列基板、显示面板及显示装置有效
| 申请号: | 201921821206.5 | 申请日: | 2019-10-28 |
| 公开(公告)号: | CN210349837U | 公开(公告)日: | 2020-04-17 |
| 发明(设计)人: | 王琦 | 申请(专利权)人: | 上海和辉光电有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆 |
| 地址: | 201506 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 阵列 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:衬底以及形成在所述衬底上的驱动电路层;
所述驱动电路层包括呈阵列排布的多个像素电路;一行所述像素电路具有一条栅极金属线;
所述栅极金属线包括第一栅极金属线和多个第二栅极金属线,所述第二栅极金属线包括第一分部和第二分部,所述第一分部的延伸方向与所述第一栅极金属线的延伸方向平行,所述第二分部连接所述第一分部与所述第一栅极金属线;
一行所述像素电路包括第一像素电路;所述第一像素电路包括第一双栅薄膜晶体管;
所述第一双栅薄膜晶体管包括第一有源层和一个所述第二栅极金属线,在垂直于所述衬底的方向上,所述第一有源层同时与所述第二栅极金属线的第一分部与所述第一栅极金属线交叠以构成所述第一双栅薄膜晶体管的双栅极。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,一行所述像素电路还包括第二像素电路;所述第一像素电路和所述第二像素电路间隔设置;
所述第二像素电路包括与所述第一双栅薄膜晶体管相邻的第二双栅薄膜晶体管;
所述第二双栅薄膜晶体管包括第二有源层和一个所述第二栅极金属线,在垂直于所述衬底的方向上,所述第二有源层同时与所述第二栅极金属线的第一分部与所述第一栅极金属线交叠以构成所述第二双栅薄膜晶体管的双栅极。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,一行所述像素电路中,相邻的所述第一双栅薄膜晶体管的所述第一分部的延伸方向和所述第二双栅薄膜晶体管的所述第一分部的延伸方向相反,且相邻的所述第一双栅薄膜晶体管的所述第一分部和所述第二双栅薄膜晶体管的所述第一分部相连。
4.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述第一像素电路还包括与所述第一双栅薄膜晶体管相邻的第三双栅薄膜晶体管;
所述第三双栅薄膜晶体管包括第三有源层和一个所述第二栅极金属线,在垂直于所述衬底的方向上,所述第三有源层同时与所述第二栅极金属线的第一分部与所述第一栅极金属线交叠以构成所述第三双栅薄膜晶体管的双栅极;
其中,相邻的所述第一双栅薄膜晶体管的所述第一分部的延伸方向和所述第三双栅薄膜晶体管的所述第一分部的延伸方向相反。
5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,一行所述像素电路还包括第三像素电路;所述第三像素电路位于所述第一像素电路远离所述第二像素电路的一侧;
第三像素电路包括与所述第三双栅薄膜晶体管相邻的第四双栅薄膜晶体管;
所述第四双栅薄膜晶体管包括第四有源层和一个所述第二栅极金属线,在垂直于所述衬底的方向上,所述第四有源层同时与所述第二栅极金属线的第一分部与所述第一栅极金属线交叠以构成所述第四双栅薄膜晶体管的双栅极;
相邻的所述第四双栅薄膜晶体管的所述第一分部的延伸方向和所述第三双栅薄膜晶体管的所述第一分部的延伸方向相反,且相邻的所述第三双栅薄膜晶体管的所述第一分部和所述第四双栅薄膜晶体管的所述第一分部相连。
6.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一栅极金属线和所述第二栅极金属线的第一分部以及第二分部在所述衬底所在平面的垂直投影的形状包括π型。
7.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,在垂直于所述衬底的方向上,所述第一双栅薄膜晶体管的第一分部在所述衬底所在平面的垂直投影与所述第一有源层在所述衬底所在平面的垂直投影相互交叉。
8.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一双栅薄膜晶体管包括多晶硅薄膜晶体管或氧化物半导体薄膜晶体管。
9.一种显示面板,其特征在于,包括:
权利要求1-8任一项所述的阵列基板;
位于所述阵列基板上的发光结构;
位于所述发光结构远离所述阵列基板一侧的第一基板。
10.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求9所述的显示面板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





