[实用新型]封装结构及功率模块有效
申请号: | 201921817151.0 | 申请日: | 2019-10-25 |
公开(公告)号: | CN210429801U | 公开(公告)日: | 2020-04-28 |
发明(设计)人: | 黄贺;李宝华;焦琴;金红元;焦德智;章进法 | 申请(专利权)人: | 台达电子企业管理(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L25/07 | 分类号: | H01L25/07;H01L25/18;H05K1/18 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 孙宝海;袁礼君 |
地址: | 201209 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装 结构 功率 模块 | ||
1.一种封装结构,其特征在于,包括:
PCB,包含基材和设置于基材中的铜块,所述铜块包括第一铜块、第二铜块以及第三铜块;
第一开关器件,包括第一端和第二端,所述第一开关器件的第一端与所述第一铜块电连接,所述第一开关器件的第二端与所述第二铜块电连接;
第二开关器件,包括第一端和第二端,所述第二开关器件的第一端与所述第二铜块电连接,所述第二开关器件的第二端与所述第三铜块电连接。
2.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述第一开关器件和所述第二开关器件为分立式开关器件。
3.根据权利要求2所述的封装结构,其特征在于,所述第一开关器件和所述第二开关器件为MOSFET或者IGBT。
4.根据权利要求3所述的封装结构,其特征在于,所述第一开关器件和所述第二开关器件为碳化硅MOS器件或者氮化镓MOS器件。
5.根据权利要求4所述的封装结构,其特征在于,所述第一开关器件和所述第二开关器件的第一端和第二端分别为所述MOS器件的漏极和源极。
6.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述封装结构为半桥电路,所述半桥电路的上桥臂包括多个并联连接的所述第一开关器件,所述半桥电路的下桥臂包括多个并联连接的所述第二开关器件。
7.根据权利要求6所述的封装结构,其特征在于,所述封装结构包括5个所述第一开关器件和5个所述第二开关器件。
8.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述铜块包括表铜层、铜芯层和底铜层;所述铜块具有第一侧面;
所述表铜层具有凸出于所述第一侧面的第一突出部;
所述铜芯层具有凸出于所述第一侧面的第二突出部;
所述底铜层具有凸出于所述第一侧面的第三突出部。
9.根据权利要求8所述的封装结构,其特征在于,所述基材包括与所述铜块嵌合的半固化片,所述半固化片的侧面与所述铜块的侧面相匹配。
10.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述铜块的第一表面凸出于所述基材的第一表面,所述铜块的第二表面凸出于所述基材的第二表面。
11.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述PCB上还设置有正输入接线端子和负输入接线端子,所述正输入接线端子与所述第一铜块电性连接,所述负输入接线端子与所述第三铜块电性连接。
12.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述PCB上还设置有第一交流端子和第二交流端子,所述第一交流端子与所述第二铜块电性连接,所述第二交流端子与所述第三铜块电性连接。
13.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述PCB上还设置有连接结构,所述PCB通过所述连接结构与控制板固定并电性连接。
14.一种功率模块,其特征在于,所述功率模块包括:
如权利要求1至13任一项所述的封装结构;
绝缘垫片,位于所述封装结构下方;
散热片,位于所述绝缘垫片下方。
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