[实用新型]一种新型功率MOS模组的DBC板结构

说明书

本实用新型公开了一种新型功率MOS模组的DBC板结构，包括双面覆有铜箔的DBC板，所述DBC板的一侧设置有与Vo连接的第一主端子，所述DBC板的另一侧设置有分别外接V+和V‑的第二主端子和第三主端子，所述DBC板上还设置有两组功率MOS模组，每组功率MOS模组的漏极连接DBC板上的漏极输入端铜箔，并且漏极输入端铜箔上还引出有漏极控制端子，每组功率MOS模组的源极连接到DBC板上源极输出端铜箔和1个源极控制端铜箔，栅极与栅极控制端铜箔连接。本实用新型采用三个主端子连接功率MOS，简化布线，模块小型化。

技术领域

本实用新型涉及DBC板领域，特别是一种新型功率MOS模组的DBC板结构。

背景技术

DBC板在电力电子模块技术中，主要是作为各种芯片如IGBT芯片、Diode芯片、电阻、SiC芯片等的承载体，DBC板通过表面覆铜层完成芯片部分连接极或者连接面的连接，功能近似于PCB板。随着电子电力技术的发展，MOS管以其高频性能好、开关损耗小、输出阻抗高、驱动功率小等优点被越来越广泛的应用。功率MOS模块是MOS管按一定的功能组合再灌封成一个模块，其功率MOS模块使用时候通常需要配合其他外部器件进行使用，由于功率MOS模块在DBC板上的布线问题，模块内产生较大的寄生电容和电感，在功率MOS模块的关断和开启过程中，MOS管栅极将产生电压尖峰脉冲，损坏器件，MOS管容易烧毁，影响整个电路的正常工作；并且，现有的功率模块输出功率较小，输入输出端子较多，布线干扰，结构较为复杂，与外部电连接复杂。

发明内容

本实用新型的目的在于：提出一种新型功率MOS模组的DBC板结构，功率MOS模组在DBC板上采用三个主端子，简化布线，使得DBC板结构简单，模块小型化。

本实用新型采用的技术方案如下：

本实用新型公开了一种新型功率MOS模组的DBC板结构，包括双面覆有铜箔的DBC板，所述DBC板的一侧设置有与Vo连接的第一主端子，所述DBC板的另一侧设置有分别外接V+和V-的第二主端子和第三主端子，所述DBC板上还设置有两组功率MOS模组，每组功率MOS模组的漏极连接DBC板上的漏极输入端铜箔，并且漏极输入端铜箔上还引出有漏极控制端子，每组功率MOS模组的源极连接到DBC板上源极输出端铜箔和1个源极控制端铜箔，栅极与栅极控制端铜箔连接，其中一组功率MOS模组连接的漏极输入端铜箔与第二主端子连接，源极通过源极输出端铜箔与另一组功率MOS模组的漏极输入端铜箔连接并且外接第一主端子，另一组功率MOS模组连接的源极输出端铜箔与第三主端子连接。

在本实用新型中，每组功率MOS模组的源极和漏极引出主端子，分别是第一主端子、第二主端子和第三主端子，通过三个主端子连接两组功率MOS模组，并外接大电流输出回路，使得DBC板结构简单，小型化的模块设计，简化布线，每组功率MOS模组的漏极输入端铜箔引出有控制端子，源极连接1个源极控制端铜箔用于外接驱动板电路，功率MOS模组的源极输出回路和控制端分离，避免了与源极大电流输出回路之间的相互影响，降低电压和电流的尖峰对整个电路的影响，即dv/dt和di/dt，整个DBC板上的功率MOS模组布线紧凑，有效降低寄生电感和电容等，可应用于电机控制，BMS场合，通过对DBC内部布线的改变，实现模块的多功能化。

进一步的，每组功率MOS模组又分为至少两个并联的功率MOS小模组，每个功率MOS小模组集成了多个并联的MOS管。采用上述结构，使得功率MOS模组具有更高的集成度，能够通过更大的电流，适合更大的功率，具有更高的可靠性。

进一步的，每个功率MOS小模组的栅极分别连接1个栅极控制端铜箔，每个栅极控制端铜箔均由外部电路控制连接。采用上述结构，两个并联的功率MOS小模组的栅极不直接连接，分别与1个栅极控制端铜箔连接，2个栅极控制端铜箔均由外部电路控制连接，可有效的降低器件应用中栅极的电压尖峰脉冲。