[实用新型]一种缓存和舟共用的进出料结构有效

专利信息
申请号: 201921807572.5 申请日: 2019-10-25
公开(公告)号: CN211238194U 公开(公告)日: 2020-08-11
发明(设计)人: 刘群;庞爱锁;林佳继;朱太荣;林依婷 申请(专利权)人: 深圳市拉普拉斯能源技术有限公司
主分类号: H01L21/677 分类号: H01L21/677;H01L21/673;H01L21/66
代理公司: 杭州天昊专利代理事务所(特殊普通合伙) 33283 代理人: 董世博
地址: 518118 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 缓存 共用 进出 结构
【说明书】:

一种缓存和舟共用的进出料结构,包括调整单元和升降单元,调整单元包括至少两个运转齿装置,运转齿装置包括底部移动装置,底部移动装置上设有支撑柱,支撑柱上设有支撑,支撑上设有顶齿,顶齿能支撑片状原料;本实用新型能将舟托上的片状原料一片片固定于顶齿上,并通过底部移动装置将多组运转齿装置结合在一起,再结合升降单元,实现舟与缓存之间平稳的、高效的全自动化进出料操作;通过斜面支撑座的设计,使传送带及其上的舟托倾斜,让舟托内装填的所有片状原料依靠第一齿槽的同一侧,达到理片的效果;通过设置与舟数目相等的组转运齿装置可以一次性完成整个舟托内的所有片状原料往缓存内上料或是缓存往舟内下料,快速高效。

技术领域

本实用新型涉及进/出下料技术领域,尤其涉及用于一种半导体材料或光伏材料加工的缓存和舟共用进出料结构。

背景技术

半导体或光伏材料广泛应用于电子、新能源等行业,半导体和光伏材料通常都需要经过加工处理才能够应用到产品上,CVD技术、扩散工艺或氧化工艺是其中的一种处理方式,其中CVD即化学气相沉积,CVD技术目前已经广泛用于半导体或光伏材料加工,常见的加工设备有PECVD、LPCVD、APCVD等,除了CVD之外还有扩散工艺包括磷扩散、硼扩散等,目前行业内已有不少相关的设备,适用于不同的加工需求,其中,缓存装置是一种常用来暂时存放材料的设备,舟是一种装载加工的、加工中的或者加工后的材料的设备,缓存装置和舟中经常需要进行材料的进出料,由于半导体和光伏材料易损坏,因此如何平稳的、高效的完成舟与缓存装置之间的进出料是一个需要解决的技术问题。

发明内容

本实用新型的目的在于提供一种缓存和舟共用的进出料结构,以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的一种缓存和舟共用的进出料结构,包括调整单元和升降单元,调整单元包括五个运转齿装置,作为优选的技术方案,运转齿装置数量大于等于两个,本实用新型并不限定运转齿装置的数量,通过运转齿装置能够完成缓存和舟的进出料。

优选的,运转齿装置包括底部移动装置,底部移动装置上设有支撑柱,支撑柱上设有两个支撑,两个支撑上皆设有顶齿,两组顶齿之间需保持一定距离,确保片状原料位于顶齿内时不会脱落,作为优选的技术方案,支撑数量大于等于三个,每个支撑上设有顶齿,作为优选的技术方案,支撑柱上仅设有一个支撑,支撑上设有两组或两组以上的顶齿,每组顶齿之间保持一定距离,作为优选的技术方案,支撑柱上仅设有一个支撑,支撑上仅设有一个厚顶齿,厚顶齿能支撑片状原料,本实用新型并不限定支撑的数量、顶齿的数量和顶齿的厚度,通过将片状原料一片片固定于顶齿上,能够将片状原料分隔开来,并起到较好的支撑效果。

优选的,相邻运转齿装置上的对应顶齿能够拼接在一起。

优选的,调整单元设于升降单元上,升降单元用于控制调整单元里所有运转齿装置的高度,作为优选的技术方案,底部移动装置能选用直线导轨,升降单元能选用电机丝杠滑块机构,作为优选的技术方案,底部移动装置和升降单元还能分别选用直线导轨、直线液压缸、电机丝杠、气缸等一系列可以完成直线运动的机构,本实用新型并不限定它们的选取。

优选的,运转齿装置内的底部移动装置能够控制对应的顶齿进行水平面内的移动,为确保顶齿能完整组合,相邻顶齿采用互补配对的形式,使相邻运转齿装置上的顶齿在底部移动装置的调整下组合在一起。

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