[实用新型]一种缓存和舟共用的进出料结构有效
申请号: | 201921807572.5 | 申请日: | 2019-10-25 |
公开(公告)号: | CN211238194U | 公开(公告)日: | 2020-08-11 |
发明(设计)人: | 刘群;庞爱锁;林佳继;朱太荣;林依婷 | 申请(专利权)人: | 深圳市拉普拉斯能源技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L21/673;H01L21/66 |
代理公司: | 杭州天昊专利代理事务所(特殊普通合伙) 33283 | 代理人: | 董世博 |
地址: | 518118 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 缓存 共用 进出 结构 | ||
1.一种缓存和舟共用的进出料结构,其特征在于,包括调整单元和升降单元,调整单元包括至少两个运转齿装置。
2.根据权利要求1所述的一种缓存和舟共用的进出料结构,其特征在于,运转齿装置包括底部移动装置,底部移动装置上设有支撑柱,支撑柱上设有支撑,支撑上设有顶齿,顶齿能支撑片状原料。
3.根据权利要求2所述的一种缓存和舟共用的进出料结构,其特征在于,片状原料为半导体材料或光伏材料。
4.根据权利要求1所述的一种缓存和舟共用的进出料结构,其特征在于,调整单元设于升降单元上,升降单元用于控制调整单元里所有运转齿装置的高度。
5.根据权利要求1或2所述的一种缓存和舟共用的进出料结构,其特征在于,底部移动装置选用直线导轨,升降单元选用电机丝杠滑块机构。
6.根据权利要求2所述的一种缓存和舟共用的进出料结构,其特征在于,运转齿装置内的底部移动装置能够控制对应的顶齿进行水平面内的移动。
7.根据权利要求2所述的一种缓存和舟共用的进出料结构,其特征在于,相邻运转齿装置上的对应顶齿能够拼接在一起。
8.根据权利要求7所述的一种缓存和舟共用的进出料结构,其特征在于,相邻运转齿装置上的顶齿能够采用互补配对的形式。
9.根据权利要求1所述的一种缓存和舟共用的进出料结构,其特征在于,与本装置搭配使用的设备有缓存装置,缓存装置内设有朝向相对的两组护齿条,护齿条内设有的护齿槽,护齿条由气缸进行控制,可以完成相向运动或是背向运动,两组护齿条下方皆设有支撑条,用于支撑进入缓存装置内的片状原件。
10.根据权利要求1或9所述的一种缓存和舟共用的进出料结构,其特征在于,调整单元包括五个运转齿装置,与本装置搭配使用的设备有舟托,舟托内包括五个舟,舟包括对应片状材料的四根舟支架,四根舟支架上对应地设有第一齿槽,舟托上位于每个舟下方位置设有两根支撑条,支撑条上设有与第一齿槽对应的第二齿槽,第一齿槽齿、第二齿槽齿、护齿槽的齿间距相同,每个第一齿槽、第二齿槽内也可以容纳两片材料,舟托底部设有通孔,舟托通过传送带进行运输,传送带为中部空心的双皮带同步传动形式,传送带通过电机驱动,传送带安装于斜面支撑座上,传送带上设有用于检测舟托和运转齿装置是否运动到指定位置的检测装置,传送带上设有遮挡舟托掉落的挡条。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造