[实用新型]一种半导体终端结构及半导体结构

说明书

本实用新型提供了一种半导体终端结构及半导体结构，涉及半导体技术领域。半导体终端结构包括衬底层以及设置于所述衬底层上的外延层；所述外延层上形成有多个结终端拓展结构，所述结终端拓展结构向所述衬底层的方向延伸，且多个所述结终端拓展结构延伸的距离沿预设方向递减。本申请中设置于外延层上的多个结终端拓展结构延伸的距离沿预设方向递减，延伸的距离与所具有的离子浓度相关联，得到的各结终端拓展结构的浓度递减，因此形成不同的浓度梯度递进变化的结终端拓展结构，浓度梯度的渐变效果好。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种半导体终端结构及半导体结构。

背景技术

IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种将MOSFET(金属氧化物场效应管)与BJT(双极型晶体管)相结合的半导体功率器件，具有输入阻抗高、开关损耗小、速度快、电压驱动功率小等特点。IGBT终端通常使用场限环技术来提高IGBT的耐高压性能，目前常用的场限环技术是通过在功率半导体终端引入一个或者多个与硅衬底掺杂类型相反但浓度远高于衬底的环形区域，来实现提高击穿电压；但上述方式存在浓度梯度渐变效果差的问题。

实用新型内容

本实用新型的主要目的在于，提供一种浓度梯度渐变效果好的半导体终端结构及半导体结构。

第一方面，本实用新型实施例提供了一种半导体终端结构，包括衬底层以及设置于所述衬底层上的外延层；

所述外延层上形成有多个结终端拓展结构，所述结终端拓展结构向所述衬底层的方向延伸，且多个所述结终端拓展结构延伸的距离沿预设方向递减。

进一步地，在本实用新型一个较佳的实施例中，所述外延层上还形成有多个场限环结构，所述场限环结构向所述衬底层的方向延伸，且多个所述场限环结构延伸的距离沿所述预设方向递减。

进一步地，在本实用新型一个较佳的实施例中，所述结终端拓展结构和所述场限环结构沿所述预设方向依次设置。

进一步地，在本实用新型一个较佳的实施例中，沿所述预设方向，所述结终端拓展结构延伸的距离大于相邻的所述场限环结构延伸的距离。

进一步地，在本实用新型一个较佳的实施例中，沿所述预设方向，相邻的两个所述结终端拓展结构间的距离、相邻的两个所述场限环结构间的距离和相邻的所述结终端拓展结构与场限环结构间的距离均相等。

第二方面，本实用新型实施例提供了一种半导体结构，包括上述任一项所述的半导体终端结构。

本实用新型实施例提供的半导体终端结构及半导体结构，设置于外延层上的多个结终端拓展结构延伸的距离沿预设方向递减，延伸的距离与所具有的离子浓度相关联，得到的各结终端拓展结构的浓度递减，因此形成不同的浓度梯度递进变化的结终端拓展结构，浓度梯度的渐变效果好。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施方式的技术方案，下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本实用新型的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1是IGBT终端制作的初始结构；

图2是现有技术中IGBT终端制作通过离子注入形成JTE结构的示意图；

图3是现有技术中IGBT终端调整后的最终结构；

图4是本实用新型一实施例提供的IGBT终端制作形成第一层台阶的示意图；

图5是本实用新型一实施例提供的IGBT终端制作形成第二层台阶的示意图；

图6是本实用新型一实施例提供的IGBT终端制作形成第三层台阶的示意图；