[实用新型]一种半导体终端结构及半导体结构有效
申请号: | 201921806520.6 | 申请日: | 2019-10-24 |
公开(公告)号: | CN210866185U | 公开(公告)日: | 2020-06-26 |
发明(设计)人: | 刘勇强;张祎龙;曾丹;史波 | 申请(专利权)人: | 珠海格力电器股份有限公司;珠海零边界集成电路有限公司 |
主分类号: | H01L29/739 | 分类号: | H01L29/739;H01L21/331;H01L29/06 |
代理公司: | 北京华夏泰和知识产权代理有限公司 11662 | 代理人: | 邵淑双 |
地址: | 519070*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 半导体 终端 结构 | ||
1.一种半导体终端结构,其特征在于,包括衬底层(1)以及设置于所述衬底层(1)上的外延层(2);
所述外延层(2)上形成有多个结终端拓展结构(5),所述结终端拓展结构(5)向所述衬底层(1)的方向延伸,且多个所述结终端拓展结构(5)延伸的距离沿预设方向递减。
2.根据权利要求1所述的半导体终端结构,其特征在于,所述外延层(2)上还形成有多个场限环结构(6),所述场限环结构(6)向所述衬底层(1)的方向延伸,且多个所述场限环结构(6)延伸的距离沿所述预设方向递减。
3.根据权利要求2所述的半导体终端结构,其特征在于,所述结终端拓展结构(5)和所述场限环结构(6)沿所述预设方向依次设置。
4.根据权利要求3所述的半导体终端结构,其特征在于,沿所述预设方向,所述结终端拓展结构(5)延伸的距离大于相邻的所述场限环结构(6)延伸的距离。
5.根据权利要求3所述的半导体终端结构,其特征在于,沿所述预设方向,相邻的两个所述结终端拓展结构(5)间的距离、相邻的两个所述场限环结构(6)间的距离和相邻的所述结终端拓展结构(5)与场限环结构(6)间的距离均相等。
6.一种半导体结构,其特征在于,包括权利要求1-5任一项所述的半导体终端结构。
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