[实用新型]一种半导体终端结构及半导体结构有效

专利信息
申请号: 201921806520.6 申请日: 2019-10-24
公开(公告)号: CN210866185U 公开(公告)日: 2020-06-26
发明(设计)人: 刘勇强;张祎龙;曾丹;史波 申请(专利权)人: 珠海格力电器股份有限公司;珠海零边界集成电路有限公司
主分类号: H01L29/739 分类号: H01L29/739;H01L21/331;H01L29/06
代理公司: 北京华夏泰和知识产权代理有限公司 11662 代理人: 邵淑双
地址: 519070*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 半导体 终端 结构
【权利要求书】:

1.一种半导体终端结构,其特征在于,包括衬底层(1)以及设置于所述衬底层(1)上的外延层(2);

所述外延层(2)上形成有多个结终端拓展结构(5),所述结终端拓展结构(5)向所述衬底层(1)的方向延伸,且多个所述结终端拓展结构(5)延伸的距离沿预设方向递减。

2.根据权利要求1所述的半导体终端结构,其特征在于,所述外延层(2)上还形成有多个场限环结构(6),所述场限环结构(6)向所述衬底层(1)的方向延伸,且多个所述场限环结构(6)延伸的距离沿所述预设方向递减。

3.根据权利要求2所述的半导体终端结构,其特征在于,所述结终端拓展结构(5)和所述场限环结构(6)沿所述预设方向依次设置。

4.根据权利要求3所述的半导体终端结构,其特征在于,沿所述预设方向,所述结终端拓展结构(5)延伸的距离大于相邻的所述场限环结构(6)延伸的距离。

5.根据权利要求3所述的半导体终端结构,其特征在于,沿所述预设方向,相邻的两个所述结终端拓展结构(5)间的距离、相邻的两个所述场限环结构(6)间的距离和相邻的所述结终端拓展结构(5)与场限环结构(6)间的距离均相等。

6.一种半导体结构,其特征在于,包括权利要求1-5任一项所述的半导体终端结构。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于珠海格力电器股份有限公司;珠海零边界集成电路有限公司,未经珠海格力电器股份有限公司;珠海零边界集成电路有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201921806520.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top