[实用新型]写操作电路和半导体存储器

权利要求书

1.一种写操作电路，应用于半导体存储器，其特征在于，包括：

数据判断模块，用于根据所述半导体存储器的输入数据中为低的数据的位数，确定是否翻转所述输入数据，以生成翻转标识数据和第一中间数据；

数据缓冲模块，包括多个NMOS晶体管和多个第一反相器，所述NMOS晶体管的栅极通过所述第一反相器连接于所述数据判断模块，以接收第二中间数据，所述NMOS晶体管的漏极连接于全局总线，所述数据缓冲模块用于根据所述第二中间数据，确定是否翻转所述全局总线，其中，所述第二中间数据为所述第一中间数据的反相数据；

数据接收模块，连接于存储块，所述数据接收模块接收所述全局总线上的全局总线数据，并通过所述翻转标识信号线接收所述翻转标识数据，用于根据所述翻转标识数据，对所述全局总线数据进行解码，并将解码后的数据写入所述半导体存起的存储块，所述解码包括确定是否翻转所述全局总线数据；

预充电模块，连接于预充电信号线，用于将所述全局总线的初始态设置为高。

2.根据权利要求1所述的写操作电路，其特征在于，还包括串并转换电路，连接于所述半导体存储器的DQ端口和所述数据判断模块之间，用于对所述DQ端口的第一输入数据进行串并转换，以生成第二输入数据；所述数据判断模块用于根据所述第二输入数据中为低的数据的位数，确定是否翻转所述第二输入数据，以生成所述翻转标识数据和所述第一中间数据。

3.根据权利要求2所述的写操作电路，其特征在于，所述第二输入数据被划分为M组，每组第二输入数据为N位，其中，M和N为大于1的整数，所述数据判断模块用于输出M位翻转标识数据和M组第一中间数据，M位翻转标识数据与M组第二输入数据一一对应，M位翻转标识数据和M组第一中间数据一一对应。

4.根据权利要求2所述的写操作电路，其特征在于，所述数据判断模块包括：

数据判断单元，所述数据判断单元的输入端连接于所述串并转换电路，所述数据判断单元的输出端与所述翻转标识信号线连接，所述数据判断单元用于输入预设值，并根据所述第二输入数据中为低的数据的位数与所述预设值输出所述翻转标识数据；

数据选择器，所述数据选择器的输入端连接于所述数据判断单元，用于通过所述数据判断单元接收所述第二输入数据，所述数据选择器的输入端还通过所述翻转标识信号线接收所述翻转标识数据，所述数据选择器的输出端与所述第一反相器的输入端连接，所述数据选择器用于根据所述翻转标识数据和所述第二输入数据输出所述第一中间数据。

5.根据权利要求4所述的写操作电路，其特征在于，所述数据选择器包括多个数据选择单元，所述数据选择单元包括：

第二反相器，所述第二反相器的输入端通过所述翻转标识信号线接收所述翻转标识数据；

第三反相器，所述第三反相器的输入端连接于所述数据判断单元，用于从所述数据判断单元接收所述第二输入数据；

第一传输门，所述第一传输门的输入端连接于所述第三反相器的输出端，所述第一传输门的输出端与所述第一反相器的输入端连接，用于输出所述第一中间数据，所述第一传输门的反控制端连接于所述第二反相器的输出端，所述第一传输门的正控制端通过所述翻转标识信号线接收所述翻转标识数据；

第二传输门，所述第二传输门的输入端连接于所述数据判断单元，用于从所述数据判断单元接收所述第二输入数据，所述第二传输门的输出端与所述第一反相器的输入端连接，用于输出所述第一中间数据，所述第二传输门的反控制端通过所述翻转标识信号线接收所述翻转标识数据，所述第二传输门的正控制端连接于所述第二反相器的输出端。

6.根据权利要求3所述的写操作电路，其特征在于，所述全局总线数据为M组，M位翻转标识数据与M组全局总线数据一一对应，所述数据接收模块包括M个数据接收单元，所述数据接收单元连接于所述存储块，所述数据接收单元用于根据一位翻转标识数据，对对应组的全局总线数据进行所述解码。