[实用新型]天线封装结构有效
| 申请号: | 201921804349.5 | 申请日: | 2019-10-25 | 
| 公开(公告)号: | CN210692486U | 公开(公告)日: | 2020-06-05 | 
| 发明(设计)人: | 吴政达;陈彦亨;林正忠;薛亚媛;徐罕 | 申请(专利权)人: | 中芯长电半导体(江阴)有限公司 | 
| 主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L21/60;H01L23/485;H01L23/31;H01L25/18;H01Q1/22;H01Q1/38;H01Q1/50 | 
| 代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 佟婷婷 | 
| 地址: | 214437 江*** | 国省代码: | 江苏;32 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 天线 封装 结构 | ||
1.一种天线封装结构,其特征在于,所述天线封装结构包括:
重新布线层,所述重新布线层包括第一面以及与所述第一面相对的第二面,且所述重新布线层中形成有自所述第一面打开的第一开口;
第一天线层,形成于所述第二面上并与所述重新布线层电连接;
第一金属馈线柱,形成于所述第一天线层上并与所述第一天线层电连接;
第一封装层,包覆所述第一金属馈线柱,并显露所述第一金属馈线柱的顶面;
第二天线层,形成于所述第一封装层上并与所述第一金属馈线柱电连接;
第二金属馈线柱,形成于所述第二天线层上并与所述第二天线层电连接;
第二封装层,包覆所述第二金属馈线柱,并显露所述第二金属馈线柱的顶面;
第三天线层,形成于所述第二封装层上并与所述第二金属馈线柱电连接;
至少一个半导体芯片,接合于所述第一面并与所述重新布线层电连接;
金属凸块,形成于所述第一开口中,并与所述重新布线层电连接;以及
第三封装层,包覆所述半导体芯片、所述金属凸块,且所述第三封装层中形成有第二开口,所述第二开口显露所述金属凸块。
2.根据权利要求1所述的天线封装结构,其特征在于,所述第一金属馈线柱与所述第一天线层的连接部具有第一下金属层,所述第一金属馈线柱的材料包括Au、Ag、Cu、Al中的一种,所述第一下金属层的材料包括Ni层与Au层组成的叠层;和/或,所述第二金属馈线柱与所述第二天线层的连接部具有第二下金属层,所述第二金属馈线柱的材料包括Au、Ag、Cu、Al中的一种,所述第二下金属层的材料包括Ni层与Au层组成的叠层。
3.根据权利要求1所述的天线封装结构,其特征在于,所述天线封装结构还包括第一保护粘附层,所述第一保护粘附层覆盖于所述第一天线层上,所述第一金属馈线柱经由所述第一保护粘附层形成于所述第一天线层表面,所述第一封装层形成于所述第一保护粘附层上;和/或,所述天线封装结构还包括第二保护粘附层,所述第二保护粘附层覆盖于所述第二天线层上,所述第二金属馈线柱经由所述第二保护粘附层形成于所述第二天线层表面,所述第二封装层形成于所述第二保护粘附层上。
4.根据权利要求1所述的天线封装结构,其特征在于,所述第一封装层的材料包括硅胶以及环氧树脂中的一种;所述第二封装层的材料包括硅胶以及环氧树脂中的一种;所述第三封装层的材料包括硅胶以及环氧树脂中的一种。
5.根据权利要求1所述的天线封装结构,其特征在于,所述半导体芯片的数量为多个,所述半导体芯片包括主动组件及被动组件中的一种,其中,所述主动组件包括电源管理电路、发射电路及接收电路中的一种,所述被动组件包括电阻、电容及电感中的一种。
6.根据权利要求1-5中任意一项所述的天线封装结构,其特征在于,所述天线封装结构还包括底部填充层,所述底部填充层形成于所述半导体芯片与所述重新布线层之间。
7.根据权利要求6所述的天线封装结构,其特征在于,所述天线封装结构还包括围坝点胶保护层,所述围坝点胶保护层至少形成于所述半导体芯片的底部及四周,且所述围坝点胶保护层及所述底部填充层将所述半导体芯片包围,所述第三封装层还封装所述围坝点胶保护层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





