[实用新型]一种MicroLED封装结构有效
| 申请号: | 201921802737.X | 申请日: | 2019-10-24 |
| 公开(公告)号: | CN210429819U | 公开(公告)日: | 2020-04-28 |
| 发明(设计)人: | 孙明存;韩福涛;孙鲁闽 | 申请(专利权)人: | 卓华光电科技集团有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L23/367 |
| 代理公司: | 济南瑞宸知识产权代理有限公司 37268 | 代理人: | 王萍 |
| 地址: | 250000 山东省济南市历下区*** | 国省代码: | 山东;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 microled 封装 结构 | ||
本实用新型公开了一种MicroLED封装结构,主要涉及LED显示屏技术领域,包括载体、凹槽、设置在载体上表面的LED芯片以及设置在载体下表面的CMOS驱动电路,载体上表面的设有放置LED芯片的第一凹槽,第一凹槽的底部设有与LED芯片中电极对应的两个通孔,CMOS驱动电路设置在载体的下表面的第二凹槽中,供电输出通过通孔与LED芯片的电极电性连接,在CMOS驱动电路底部设有散热层,散热层通过绝缘层将载体底部密封,在载体上表面设有透明保护层,大大减小了封装结构的尺寸,扩展了应用,并在在CMOS驱动电路底部设有散热层,增加散热面,将热量及时散出,绝缘层即可实现绝缘作用,又可实现密封作用,透明保护层保护LED芯片不受外部环境的影响以提高其使用寿命。
技术领域
本实用新型主要涉及LED显示屏技术领域,具体是一种MicroLED封装结构。
背景技术
MicroLED技术,即LED微缩化和矩阵化技术;指的是在一个芯片上集成的高密度微小尺寸的LED尺寸,如LED显示屏每一个像素可定址、单独驱动点亮,将像素等级由毫米级降低至微米级。MicroLED不仅继承了传统LED高效率、高亮度、高可靠性和反应时间快的优点,而且还具有节能、机构简单、体积小、薄型以及发光无需背光源的特点。
在应用的过程中,通常都需要将LED芯片和驱动芯片依序对称排列在基板上得到LED结构,但是这种封装形式尺寸较大,无法做到更小的等级,且结构复杂,散热性不好,稳定性差。
实用新型内容
鉴于现有技术中存在的不足和缺陷,本实用新型提供了一种MicroLED封装结构。
为了解决上述技术问题,本实用新型采用如下技术方案:一种MicroLED封装结构,其特征在于:包括载体、凹槽、设置在载体上表面的LED芯片以及设置在载体下表面的CMOS驱动电路,载体上表面的设有放置LED芯片的第一凹槽,第一凹槽的底部设有与LED芯片中电极对应的两个通孔,CMOS驱动电路设置在载体的下表面的第二凹槽中,供电输出通过通孔与LED芯片的电极电性连接,在CMOS驱动电路底部设有散热层,散热层通过绝缘层将载体底部密封,在载体上表面设有透明保护层。
作为本实用新型的进一步改进,所述透明保护层包括但不限于ITO或FTO。
作为本实用新型的进一步改进,所述透明保护层设置在LED芯片上表面且用于保护LED芯片不受外部环境的影响以提高其使用寿命。
作为本实用新型的进一步改进,LED芯片为倒装LED芯片或薄膜LED芯片。
作为本实用新型的进一步改进,所述载体由聚酯薄膜制备而成。
与现有技术相比,本实用新型具有的有益效果为:在载体的上表面和下表明同时开设凹槽,且在开设的凹槽中开设与LED芯片匹配的通孔,通过该通孔实现LED芯片和CMOS驱动电路之间的电性连接,大大减小了封装结构的尺寸,扩展了应用,并在在CMOS驱动电路底部设有散热层,散热层能够增加散热面,将热量及时散出,散热层通过绝缘层将载体底部密封,绝缘层即可实现绝缘作用,又可实现密封作用,在载体上表面设有透明保护层,保护LED芯片不受外部环境的影响以提高其使用寿命。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步的说明:
图1为本实用新型一种MicroLED封装结构的结构示意图;
图中:1、载体,2、透明保护层,3、LED芯片,4、CMOS驱动电路,5、绝缘层,6、散热层,7、通孔,8、凹槽,81、第一凹槽,82、第二凹槽。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





