[实用新型]清洁装置及晶圆清洁设备有效
申请号: | 201921796453.4 | 申请日: | 2019-10-24 |
公开(公告)号: | CN212120884U | 公开(公告)日: | 2020-12-11 |
发明(设计)人: | 高林 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
主分类号: | B08B1/00 | 分类号: | B08B1/00;B08B1/04;B08B3/02;H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人: | 董琳 |
地址: | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 清洁 装置 设备 | ||
该实用新型涉及一种清洁装置及晶圆清洁设备,能够加快晶圆的清洁速率,提高晶圆的产量。其中,所述清洁装置用于清洁滚轴清洁刷,包括:清洁主体,所述清洁主体内部具有第一管道,且所述清洁主体的一侧表面设置有与所述第一管道连通的第一通孔;抽真空单元,连通至所述第一管道,用于对所述第一管道抽真空;所述第一通孔所在的清洁主体的表面弧度与所述滚轴清洁刷的表面弧度一致,以贴合所述滚轴清洁刷的表面。
技术领域
本实用新型涉及晶圆的生产加工领域,具体涉及一种清洁装置及晶圆清洁设备。
背景技术
在半导体工业中,化学机械抛光(CMP,chemical mechanical polishing)技术常被用来平坦化晶圆上的材料层。在化学机械抛光操作过程中,抛光液会被分散在抛光垫的表面,并且抛光垫表面以及晶圆表面间彼此进行相对运动及摩擦,此相对运动会对晶圆表面造成机械以及化学的抛光作用力,从而得到一平整的晶圆表面。
在经过化学机械抛光处理后,晶圆会被送去清洗。具体的,请参阅图1、2,均为现有技术中化学机械抛光处理后清洁晶圆的装置的结构示意图。使用聚乙烯醇材质的滚轴清洗刷刷洗晶圆表面,所述滚轴清洗刷能够相对所述晶圆发生移动。在晶圆未放入到两个滚轴清洗刷之间时,两个滚轴清洗刷之间的间隔较大。在晶圆放入到两个滚轴清洗刷之间后,两个滚轴清洗刷相向移动,减小两个滚轴清洗刷之间的宽度,两个滚轴清洗刷均与所述晶圆相接触,此处可参阅图2。在滚轴清洗刷与晶圆相接触后,所述滚轴清洗刷滚动以清洁晶圆表面,同时,有喷嘴朝向所述晶圆喷出清洗液,以清洗所述晶圆表面。
然而,在使用滚轴清洗刷清洗晶圆表面的过程中,晶圆表面的污染物也会沾染到所述滚轴清洗刷表面,沾污所述滚轴清洗刷,难以清理,这时,每隔一段时间,就需要对所述滚轴清洗刷进行养护,这将严重影响晶圆的清洁速率,降低晶圆的产量。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种清洁装置及晶圆清洁设备,能够加快晶圆的清洁速率,提高晶圆的产量。
为解决上述技术问题,以下提供了一种清洁装置,用于清洁滚轴清洁刷,包括:清洁主体,所述清洁主体内部具有第一管道,且所述清洁主体的一侧表面设置有与所述第一管道连通的第一通孔;抽真空单元,连通至所述第一管道,用于对所述第一管道抽真空;所述第一通孔所在的清洁主体的表面弧度与所述滚轴清洁刷的表面弧度一致,以贴合所述滚轴清洁刷的表面。
可选的,所述清洁主体包括弧形清洁板,所述第一通孔设置于所述弧形清洁板的凹面,所述弧形清洁板的凹面的弧度与所述滚轴清洁刷的表面弧度一致。
可选的,所述弧形清洁板的凹面还设置有凸起的清洁结构。
可选的,所述清洁主体表面设置有多个所述第一通孔,且相邻两第一通孔之间的距离相等。
可选的,所述清洁板包括:聚四氟乙烯板、聚烯烃类氟橡胶板、亚硝基氟橡胶板、四丙氟橡胶板中的至少一种。
为了解决上述技术问题,以下还提供了一种晶圆清洁设备,包括:滚轴清洁刷,用于清洁晶圆;所述的清洁装置;所述滚轴清洁刷能够在晶圆与所述清洁主体之间运动,且所述清洁主体设置在所述滚轴清洁刷的运动轨迹上。
可选的,所述清洁主体包括弧形清洁板,所述弧形清洁板的凹面的弧度与所述滚轴清洁刷的表面弧度一致,且所述弧形清洁板的凹面设置有第一通孔,以及凸起的清洁结构。
可选的,所述滚轴清洁刷的数目为多个,所述清洁主体的数目与所述滚轴清洁刷的数目一致,且每一滚轴清洁刷都对应设置有一清洁主体。
可选的,所述滚轴清洁刷内部具有第二管道,且所述滚轴清洁刷表面设置有与所述第二管道连通的第二通孔;所述的晶圆清洁设备还包括第一清洗液源,与所述第二管道连通。
可选的,还包括:第二清洗液源;喷嘴,连通至所述第二清洗液源,且所述喷嘴朝向待清洗的晶圆设置。
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