[实用新型]晶片测试系统

说明书

本实用新型公开晶片测试系统。晶片测试系统用于测试晶片，晶片具有第一面和第二面。晶片测试系统包括测试机台、第一探针组、载体、膜片、第二探针组、以及工作台。测试机台包括测试电路。第一探针组与测试机台电学连接，第一探针组用于在操作时与晶片的第一面电学接触。载体与测试机台机械连接，并且承载第一探针组。膜片具有多个孔，膜片用于在操作时与晶片的第二面物理接触。第二探针组用于在操作时通过多个孔与晶片的第二面电学接触。工作台用于承载第二探针组。根据本实用新型的晶片测试系统能实现在封装前对薄晶片的电学测试，提供机械保护，改善芯片在电传导和热传导方面的性能。

技术领域

本实用新型涉及半导体领域，更具体而言，涉及晶片测试系统。

背景技术

在晶片切片封装之前，通常需要对晶片中的各个芯片进行芯片探针测试(chipprobing,即CP测试)，以识别坏的芯片，减少后续封装和测试成本。由于独特的优点，作为第三代半导体成员的碳化硅(SiC)获得了广泛的关注和研究。碳化硅拥有10倍于硅材料的临界电场强度，因此在电子功率器件中，允许使用更薄的漂移区来维持更高的阻断电压。目前的碳化硅晶片的厚度可薄至200微米(um)或以下。当碳化硅晶片进一步减薄之后(比如达100um或以下)，同时由于碳化硅晶片相比于硅晶片而言更脆，难以在封装之前直接将晶片置于测试平台上进行CP测试。如果不进行CP测试就直接封装，则坏的芯片只能在后续成品测试中才能被发现，这不只会增加芯片的制造成本，还会延误发现芯片制造中存在的问题以及解决相应问题的时间，因而是十分不利的。

实用新型内容

本实用新型提出晶片测试系统，以解决现有技术中上述一个或多个技术问题。

根据本实用新型，提供一种晶片测试系统，晶片测试系统用于测试晶片，晶片具有第一面和第二面。晶片测试系统包括测试机台、第一探针组、载体、膜片、第二探针组、以及工作台。测试机台包括测试电路。第一探针组与测试机台电学连接，第一探针组用于在操作时与晶片的第一面电学接触。载体与测试机台机械连接，并且承载第一探针组。膜片具有多个孔，膜片用于在操作时与晶片的第二面物理接触,多个孔用于在膜片与第二面物理接触时暴露出第二面的至少一部分。第二探针组用于在操作时通过多个孔与晶片的第二面电学接触。工作台用于承载第二探针组。

备选地或额外的，多个孔的每个孔的直径在50微米至250微米范围。

备选地或额外的，多个孔的相邻孔之间的距离在50微米至400微米范围。

备选地或额外的，膜片的厚度在100微米至300微米范围。

备选地或额外的，多个孔的每个孔的顶平面视图的形状为圆形或方形。

备选地或额外的，第二探针组包括多个探针，每个探针包括探针体和探针头，探针头的截面呈近似三角形，探针体的截面呈方形。

备选地或额外的，第二探针组包括多个探针，每个探针包括弹性部。

备选地或额外的，工作台设置有真空孔。

备选地或额外的，工作台包括金属膜。

备选地或额外的，测试机台、载体、第一探针组集成为一体。

根据本实用新型实施例的晶片测试系统具有许多优点。例如，根据本实用新型的晶片测试系统能够对较薄的晶片(例如100um)进行电学测试，而且在测试时，能提供很好的机械保护，避免晶片挠曲、断裂等，从而能降低芯片封装和后续测试成本、增加芯片成品率，由此降低芯片的制造成本。而且，通过对膜片和工作台实施的创新性设计，可有效地对晶片进行测量，这对于薄晶片，例如厚度为150um或以下的碳化硅晶片，是特别有利的。根据本实用新型的晶片测试系统结构简单、成本有效、而且可灵活调整，对具有不同芯片的晶片具有普遍适用性。

本实用新型的其他实施例和更多技术效果将在下文详述。

附图说明