[实用新型]晶片测试系统有效
| 申请号： | 201921752013.9 | 申请日： | 2019-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN211043582U | 公开（公告）日： | 2020-07-17 |
| 发明（设计）人： | 孙倩;陈伟钿;李浩南 | 申请（专利权）人： | 飞锃半导体（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/28 | 分类号： | G01R31/28 |
| 代理公司： | 深圳市六加知识产权代理有限公司 44372 | 代理人： | 王媛 |
| 地址： | 201302 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶片 测试 系统 | ||
1.一种晶片测试系统，所述晶片测试系统用于测试晶片，所述晶片具有第一面和第二面，其特征在于，所述晶片测试系统包括：
测试机台，包括测试电路；
第一探针组，所述第一探针组与所述测试机台电学连接，所述第一探针组用于在操作时与所述晶片的第一面电学接触；
载体，所述载体与所述测试机台机械连接，并且承载所述第一探针组；
膜片，所述膜片具有多个孔，所述膜片用于在操作时与所述晶片的第二面物理接触，所述多个孔用于在所述膜片与所述第二面物理接触时暴露出所述第二面的至少一部分；
第二探针组，所述第二探针组用于在操作时通过所述多个孔与所述晶片的第二面电学接触；
工作台，所述工作台用于承载所述第二探针组。
2.根据权利要求1所述的晶片测试系统，其特征在于，所述多个孔的每个孔的直径在50微米至250微米范围。
3.根据权利要求1所述的晶片测试系统，其特征在于，所述多个孔的相邻孔之间的距离在50微米至400微米范围。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的晶片测试系统，其特征在于，所述膜片的厚度在100微米至300微米范围。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的晶片测试系统，其特征在于，所述多个孔的每个孔的顶平面视图的形状为圆形或方形。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的晶片测试系统，其特征在于，所述第二探针组包括多个探针，每个探针包括探针体和探针头，所述探针头的截面呈近似三角形，所述探针体的截面呈方形。
7.根据权利要求1至3中任一项所述的晶片测试系统，其特征在于，所述第二探针组包括多个探针，每个探针包括弹性部。
8.根据权利要求1至3中任一项所述的晶片测试系统，其特征在于，所述工作台设置有真空孔。
9.根据权利要求1至3中任一项所述的晶片测试系统，其特征在于，所述工作台包括金属膜。
10.根据权利要求1至3中任一项所述的晶片测试系统，其特征在于，所述测试机台、所述载体、所述第一探针组集成为一体。
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