[实用新型]嵌入式多芯片及元件SIP扇出型封装结构

说明书

本实用新型公开一种嵌入式多芯片及元件SIP扇出型封装结构，包括：塑封层，沿其厚度方向开设有安装孔，塑封层沿其厚度方向具有第一侧面和第二侧面；若干第一芯片及若干第一被动元件，位于安装孔内，第一芯片、第一被动元件与安装孔的侧壁之间填充有复合层，复合层包括填充树脂和均匀分布于填充树脂中的无机物颗粒；重布线层，位于塑封层的第一侧面，并与第一芯片和第一被动元件电连接；金属凸块，与重布线层的焊盘区焊接。本实用新型可达到对抗封装结构翘曲和变形的效果，同时能提高芯片和被动元件的散热效率，并能增加芯片封装的集成程度，能在更小的体积下实现微系统的集成。

技术领域

本实用新型涉及先进电子封装技术领域，具体涉及一种嵌入式多芯片及元件SIP扇出型封装结构。

背景技术

现如今，智能系统集成对电子元器件产品在单位面积下的功能和性能要求不断地提高，同时，产品尺寸也在不断地减小，如何在一个非常细小的空间内集成不同功能模块的元器件，并实现便携式产品的基本功能，是当前需要解决的一大关键问题。在摩尔定律的延伸受到物理极限、巨额资金投入、产品尺寸不断缩小等多重压力下，通过扇出集成先进封装技术，实现高密度集成、多元嵌入式集成、体积微型化和更低的成本，成为半导体技术发展的迫切需要。

目前，对于扇出型芯片封装结构而言，主要存在以下两个技术问题：

(一)、被封装的芯片、被动元件与塑封料之间的热膨胀系数(CTE)差异较大，在塑封时易出现翘曲问题；

(二)、芯片及被动元件散热效果差，需要在芯片的背面增设其他的散热结构来提高其散热效果，由此又会增大扇出型芯片封装结构的产品尺寸。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种嵌入式多芯片及元件SIP扇出型封装结构，可达到对抗封装结构翘曲和变形的效果，同时能提高芯片和被动元件的散热效率，并能增加芯片封装的集成程度，能在更小的体积下实现微系统的集成。

为达此目的，本实用新型采用以下技术方案：

提供一种嵌入式多芯片及元件SIP扇出型封装结构，包括：

塑封层，沿其厚度方向开设有安装孔，所述塑封层沿其厚度方向具有第一侧面和第二侧面；

若干第一芯片及若干第一被动元件，位于所述安装孔内，所述第一芯片和所述第一被动元件的正面朝向所述第一侧面，且所述第一芯片、所述第一被动元件以及所述安装孔的侧壁之间填充有复合层，所述复合层包括填充树脂和均匀分布于所述填充树脂中的无机物颗粒；

重布线层，位于所述传输层上，并与所述第一芯片和所述第一被动元件电连接，所述重布线层具有焊盘区和非焊盘区；

金属凸块，与所述重布线层的焊盘区焊接。

作为嵌入式多芯片及元件SIP扇出型封装结构的一种优选方案，所述填充树脂为环氧树脂。

作为嵌入式多芯片及元件SIP扇出型封装结构的一种优选方案，所述塑封层为EMC。

作为嵌入式多芯片及元件SIP扇出型封装结构的一种优选方案，还包括：

介电层，位于所述塑封层的第一侧面，且所述介电层上开设有使所述第一芯片和所述第一被动元件的电信号连接处外露的通孔；

种子层，覆盖所述介电层和所述通孔的内壁，所述重布线层位于所述种子层上，且所述种子层和所述重布线层具有使部分所述介电层外露的图形化孔；

电连接柱，填充于所述通孔内并连接所述种子层和所述重布线层。

作为嵌入式多芯片及元件SIP扇出型封装结构的一种优选方案，还包括阻焊层，所述阻焊层覆盖所述图形化孔和所述重布线层的非焊盘区。