[实用新型]嵌入式多芯片及元件SIP扇出型封装结构有效
| 申请号： | 201921705539.1 | 申请日： | 2019-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN210575899U | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 林挺宇;杜毅嵩 | 申请（专利权）人： | 广东佛智芯微电子技术研究有限公司;广东芯华微电子技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/29 | 分类号： | H01L23/29;H01L23/31;H01L25/16;H01L23/373;H01L21/50;H01L21/56 |
| 代理公司： | 广州鼎贤知识产权代理有限公司 44502 | 代理人： | 刘莉梅 |
| 地址： | 528225 广东省佛山市南海区狮山镇*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 嵌入式 芯片 元件 sip 扇出型 封装 结构 | ||
1.一种嵌入式多芯片及元件SIP扇出型封装结构，其特征在于，包括：
塑封层，沿其厚度方向开设有安装孔，所述塑封层沿其厚度方向具有第一侧面和第二侧面；
若干第一芯片及若干第一被动元件，位于所述安装孔内，所述第一芯片和所述第一被动元件的正面朝向所述第一侧面，且所述第一芯片、所述第一被动元件与所述安装孔的侧壁之间填充有复合层，所述复合层包括填充树脂和均匀分布于所述填充树脂中的无机物颗粒；
重布线层，位于所述塑封层的第一侧面，并与所述第一芯片和所述第一被动元件电连接，所述重布线层具有焊盘区和非焊盘区；
金属凸块，与所述重布线层的焊盘区焊接。
2.根据权利要求1所述的嵌入式多芯片及元件SIP扇出型封装结构，其特征在于，所述填充树脂为环氧树脂。
3.根据权利要求1所述的嵌入式多芯片及元件SIP扇出型封装结构，其特征在于，所述塑封层为EMC。
4.根据权利要求1所述的嵌入式多芯片及元件SIP扇出型封装结构，其特征在于，还包括：
介电层，位于所述塑封层的第一侧面，且所述介电层上开设有使所述第一芯片和所述第一被动元件的电信号连接处外露的通孔；
种子层，覆盖所述介电层和所述通孔的内壁，所述重布线层位于所述种子层上，且所述种子层和所述重布线层具有使部分所述介电层外露的图形化孔；
电连接柱，填充于所述通孔内并连接所述种子层和所述重布线层。
5.根据权利要求4所述的嵌入式多芯片及元件SIP扇出型封装结构，其特征在于，还包括阻焊层，所述阻焊层覆盖所述图形化孔和所述重布线层的非焊盘区。
6.根据权利要求5所述的嵌入式多芯片及元件SIP扇出型封装结构，其特征在于，还包括位于所述阻焊层远离所述塑封层一侧的若干第二芯片或第二被动元件，所述金属凸块包括第一金属凸块和尺寸小于所述第一金属凸块的第二金属凸块，所述第二芯片或第二被动元件与所述第二金属凸块焊接。
7.根据权利要求1所述的嵌入式多芯片及元件SIP扇出型封装结构，其特征在于，所述重布线层为一层或多层。
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