[实用新型]一种BOOST拓扑结构中多个NMOS单管并联时动态开关均流的电路有效
| 申请号： | 201921700530.1 | 申请日： | 2019-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN210327384U | 公开（公告）日： | 2020-04-14 |
| 发明（设计）人： | 李涛涛;杜传晶 | 申请（专利权）人： | 浙江亿玮新能源科技有限公司 |
| 主分类号： | H02M3/158 | 分类号： | H02M3/158 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 325600 浙江省温*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 boost 拓扑 结构 中多个 nmos 并联 动态 开关 电路 | ||
【权利要求书】：
1.一种BOOST拓扑结构中多个NMOS单管并联时动态开关均流的电路，其特征在于，包括：
驱动源；
第一NMOS管，其栅极通过第一电阻与所述驱动源连接，其源极接地；
第一二极管，其正极与所述第一NMOS管的漏极连接，其负极与输出端连接；
第一耦合电感，其一同名端与输入端连接，另一端与所述第一NMOS管的漏极连接；
第二NMOS管，其栅极通过第二电阻与所述驱动源连接，其源极接地；
第二二极管，其正极与所述第二NMOS管的漏极连接，其负极与输出端连接；
第二耦合电感，其一同名端与所述第一耦合电感的一同名端连接，另一端与所述第二NMOS管的漏极连接。
2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，还包括：
第三NMOS管，其栅极通过第三电阻与所述驱动源连接，其源极接地；
第三二极管，其正极与所述第三NMOS管的漏极连接，其负极与输出端连接；
第三耦合电感，其一同名端与所述第一耦合电感的一同名端连接，另一端与所述第三NMOS管的漏极连接。
3.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，还包括：
电容，其一端与所述第一耦合电感的一同名端连接，另一端接地。
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