[实用新型]一种扩散硼淀积新型石英舟有效
| 申请号： | 201921668560.9 | 申请日： | 2019-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN210575874U | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 崔文荣 | 申请（专利权）人： | 江苏晟驰微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673 |
| 代理公司： | 北京天盾知识产权代理有限公司 11421 | 代理人： | 张彩珍 |
| 地址： | 226600 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 扩散 硼淀积 新型 石英 | ||
【权利要求书】：
1.一种扩散硼淀积新型石英舟,包括石英舟本体(1)，其特征在于：所述石英舟本体(1)上设有一级舟槽支架(2)，一级舟槽支架(2)的上方两端对称设有一级石英舟槽(4)，所述一级舟槽支架(2)的底部设有底部支架(3)，底部支架(3)与一级舟槽支架(2)焊接连接，所述底部支架(3)的底部对称设有二级石英舟槽(5)，
所述一级石英舟槽(4)，二级石英舟槽(5)上均设有舟槽槽口，舟槽槽口的入口倾角为88度。
2.根据权利要求1所述的一种扩散硼淀积新型石英舟，其特征在于：所述石英舟本体(1)的内部中央设有硅片放置槽。
3.根据权利要求1所述的一种扩散硼淀积新型石英舟，其特征在于：所述一级舟槽支架(2)上方两个一级石英舟槽(4)之间的水平距离为133.2mm。
4.根据权利要求1所述的一种扩散硼淀积新型石英舟，其特征在于：所述底部支架(3)下方的两个二级石英舟槽(5)之间的水平距离为46.2mm。
5.根据权利要求1所述的一种扩散硼淀积新型石英舟，其特征在于：所述一级石英舟槽(4)，二级石英舟槽(5)的长期使用温度为1150℃。
6.根据权利要求1所述的一种扩散硼淀积新型石英舟，其特征在于：所述一级石英舟槽(4)，二级石英舟槽(5)上相邻两个舟槽槽口的中心距离为2.38mm，舟槽槽口的槽深为11.5mm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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