[实用新型]封装结构有效
| 申请号: | 201921668021.5 | 申请日: | 2019-09-30 |
| 公开(公告)号: | CN210778601U | 公开(公告)日: | 2020-06-16 |
| 发明(设计)人: | 王超宏;杨科;冷寒剑 | 申请(专利权)人: | 深圳市汇顶科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L25/18 | 分类号: | H01L25/18;H01L23/488 |
| 代理公司: | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人: | 成丽杰 |
| 地址: | 518045 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 封装 结构 | ||
1.一种封装结构,其特征在于,包括:
第一半导体单元,所述第一半导体单元包括一片晶圆或者一颗芯片,所述第一半导体单元具有第一面,所述第一面上具有至少一个第一导电凸起;
第二半导体单元,所述第二半导体单元固定于所述第一面上,所述第二半导体单元包括一片晶圆或者一颗芯片,所述第二半导体单元具有第二面,所述第二面上具有至少一个第二导电凸起,所述第二面与所述第一面相对,且所述第二导电凸起与所述第一导电凸起的位置相对且相固定,通过所述第二导电凸起以及所述第一导电凸起电连接所述第二半导体单元与所述第一半导体单元。
2.如权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述第一导电凸起包括:依次堆叠设置的第一导电柱以及第一焊接凸起;所述第二导电凸起包括:依次堆叠设置的第二导电柱以及第二焊接凸起,且所述第二焊接凸起与所述第一焊接凸起为一体结构。
3.如权利要求2所述的封装结构,其特征在于,所述第一导电凸起还包括:位于所述第一导电柱与所述第一焊接凸起之间的第一导电粘结层;所述第二导电凸起还包括:位于所述第二导电柱与所述第二焊接凸起之间的第二导电粘结层。
4.如权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述第一半导体单元包括第一区和第二区,所述第一半导体单元内具有与所述第一导电凸起电连接的第一静电防护电路,且所述第一区的所述第一静电防护电路预设的静电防护电压值大于所述第二区的所述第一静电防护电路预设的静电防护电压值。
5.如权利要求1所述的封装结构,其特征在于,还包括:载板,所述载板具有第三面,所述第一半导体单元固定于所述第三面上,且所述第一半导体单元与所述载板电连接。
6.如权利要求5所述的封装结构,其特征在于,所述第一半导体单元内具有至少一个第一焊盘,且所述第一面暴露出所述第一焊盘表面;所述载板内具有至少一个第二焊盘,且所述第三面暴露出所述第二焊盘表面;还包括:电连接结构,所述电连接结构电连接所述第二焊盘与所述第一焊盘。
7.如权利要求6所述的封装结构,其特征在于,所述电连接结构为金属导线,所述金属导线的一端与所述第一焊盘电连接,另一端与所述第二焊盘电连接。
8.如权利要求7所述的封装结构,其特征在于,还包括:粘附层,位于所述第一半导体单元与所述载板之间,用于固定所述第一半导体单元与所述载板。
9.如权利要求6所述的封装结构,其特征在于,所述电连接结构包括:位于所述第一半导体单元内的TSV导电孔,所述TSV导电孔的一端与所述第一焊盘连接;第三导电凸起,所述第三导电凸起电连接所述TSV导电孔与所述第二焊盘。
10.如权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述第一半导体单元为微处理主控芯片或者微处理主控晶圆;所述第二半导体单元为存储芯片或者存储晶圆。
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