[实用新型]一种等离子体CVD晶圆加热器用表面修磨装置

说明书

本实用新型公开了一种等离子体CVD晶圆加热器用表面修磨装置，特点是从下至上依次设置有安装支架、旋转装置、加热器支撑圆盘、研磨盘，晶圆加热器设置在加热器支撑圆盘和研磨盘之间；研磨盘主体底部设置有研磨块、调节支撑圆柱，研磨盘主体通过调节螺栓与研磨块相连接固定，调节螺栓的上端设置有数显深度测量指示表；安装平板上设置有安装主体，安装主体内部设置有台阶孔，装有旋转电机的固定座下部与台阶孔相配合固定，连接圆盘上端设置有支撑圆盘本体；优点是结构简单，稳定性好，操作方便，研磨快速高效；大大降低了工人的劳动强度，减小了一次修磨量，增加了晶圆加热器的可修磨次数，延长了晶圆加热器的工作寿命，节约了成本。

技术领域

本实用新型涉及等离子体CVD晶圆加热器的领域，尤其涉及一种等离子体CVD晶圆加热器用表面修磨装置。

背景技术

随着半导体技术的不断飞速发展,单个芯片上所承载的晶体管数量以惊人的速度增长,与此同时,半导体制造商们出于节约成本的需要迫切地希望单个晶圆上能够容纳更多的芯片,这要求更加精准的制造工艺.一种常用的工艺是等离子体化学汽相淀积(PECVD).化学汽相淀积(PECVD)一般用来在半导体晶圆衬底上淀积薄膜,气体起反应在晶圆加热器表面形成一层材料；等离子体CVD晶圆加热器是半导体芯片加工的关键设备，起承载吸附晶圆及提供加热的作用,随着使用次数增加, 晶圆在工艺过程中和等离子体CVD晶圆加热器表面接触,高温状态晶圆加热表面的铝材会被晶圆不停磨损,导致晶圆加热器表面平整度及吸附区域尺寸变差,吸附力下降,导致工艺无法正常完成,工艺结果变差。

因此就需要将等离子体CVD晶圆加热器表面进行修复,保证表面的平整度和吸附区域尺寸,保证工艺正常进行；现有技术的修复方法是使用数控机床或手工进行修复,但是存在材料去除量较大，数控机床一次去除量为0.12mm，导致晶圆加热器的可修磨次数少，使用成本高；另外晶圆加热器表面沟槽多、材料太软，导致不好控制表面平整度,大大减少了加热器的使用寿命和工艺稳定性。

发明内容

本实用新型目的是提供一种等离子体CVD晶圆加热器用表面修磨装置，结构简单，操作方便，修磨效果好，效率高，解决了以上技术问题。

为了实现上述技术目的，达到上述的技术要求，本实用新型所采用的技术方案是：一种等离子体CVD晶圆加热器用表面修磨装置，其特征在于：从下至上依次设置有安装支架、旋转装置、加热器支撑圆盘、研磨盘，晶圆加热器设置在加热器支撑圆盘和研磨盘之间；研磨盘包括研磨盘主体，研磨盘主体底部设置有研磨块、调节支撑圆柱，研磨盘主体通过调节螺栓与研磨块相连接固定，调节螺栓的上端设置有数显深度测量指示表；所述的安装支架包括安装支撑柱，安装支撑柱上端设置有安装平板，安装支撑柱下端设置有高度调节块，安装平板上设置有安装主体，安装主体内部设置有台阶孔，装有旋转电机的固定座下部与台阶孔相配合固定，旋转电机的上表面设置有连接圆盘，连接圆盘上端设置有支撑圆盘本体，支撑圆盘本体上端通过螺丝固定有圆环；所述的调节支撑圆柱与圆环相连接。

优选的：所述的高度调节块与安装支撑柱之间设置为螺纹连接。

优选的：所述的调节支撑圆柱与研磨盘主体之间、调节支撑圆柱与圆环之间均设置为螺纹连接。

优选的：所述的支撑圆盘本体的材质采用铝合金。

优选的：所述的圆环的材质采用PTFE。

优选的：所述的研磨块的长度与晶圆加热器的修磨面半径相等。

本实用新型的有益效果；一种等离子体CVD晶圆加热器用表面修磨装置，与传统结构相比：设置有带锁紧及定位功能的晶圆加热器支撑圆盘、连接晶圆加热器支撑圆盘的旋转装置、带水平调整及测量功能的研磨盘、带水平调节功能的安装支架；研磨块的长度与晶圆加热器的半径相等，研磨均匀；本实用新型结构简单，稳定性好，操作方便，研磨快速高效；大大降低了工人的劳动强度，大大减小了一次修磨量，增加了晶圆加热器的可修磨次数，延长了晶圆加热器的工作寿命，节约了成本。