[实用新型]图像传感器的半导体结构、芯片及电子装置

说明书

本申请公开了一种图像传感器的半导体结构及相关芯片和电子装置。半导体结构包括半导体衬底和设置于半导体衬底的若干个像素组，每个像素组包括：位于同一行且相邻的第一像素及第二像素，位于另一行且相邻的第三像素及第四像素，第一像素及第三像素为对角错位设置，每个像素各自均包括四个子像素，每个像素里的四个子像素共用浮置扩散区且浮置扩散区被四个子像素的光敏传感器包围，第一像素和第三像素的输出电路共享，第一像素和第三像素共享的输出电路位于第一像素及第三像素之间且延伸至第一像素的左侧/右侧和第三像素的右侧/左侧，本申请可提高图像传感器的图像质量并改善输出电路的效能。

技术领域

本申请涉及一种图像传感器的半导体结构及相关芯片和电子装置，尤其涉及一种能增加源跟随晶体管的沟道长度的图像传感器的半导体结构及相关芯片和电子装置。

背景技术

CMOS图像传感器已经得到大规模生产和应用，随著画质要求的提升，像素的数目也越来越大，为了尽量在有限的面积中增加像素的数目，单位像素的尺寸要尽可能地缩小，也就是说，单位像素中的光敏传感器和输出电路的尺寸都要跟著缩小。

然而，将输出电路的尺寸缩小，往往会影响到输出电路的效能，因此，如何兼顾面积与效能，已成为本领域的一个重要的工作项目。而且，现有技术中的CMOS图像传感器易出现影像失调的问题。

实用新型内容

本申请的目的之一在于公开一种图像传感器的半导体结构及相关芯片和电子装置，来解决上述问题。

本申请的一实施例公开了一种图像传感器的半导体结构，所述图像传感器的半导体结构包括：半导体衬底和设置于所述半导体衬底的若干个像素组，每个像素组包括：位于同一行且相邻的第一像素及第二像素，位于另一行且相邻的第三像素及第四像素，所述第一像素及第三像素为对角错位设置且第一像素及第三像素均为绿色像素；所述第一像素、第二像素、第三像素及第四像素各自均包括四个按照两行两列排列的子像素，每个像素里的四个子像素共用浮置扩散区且所述浮置扩散区被所述四个子像素的光敏传感器包围，所述光敏传感器用来将光线转换为电荷；所述第一像素和所述第三像素的输出电路共享，所述第一像素和所述第三像素共享的所述输出电路位于所述第一像素及第三像素之间且延伸至所述第一像素的左侧/右侧和所述第三像素的右侧/左侧，所述输出电路的一部分相邻所述第一像素的光敏传感器，所述输出电路的另一部分相邻所述第三像素的光敏传感器，所述输出电路用来依据所述电荷产生像素输出，所述输出电路包括第一源跟随晶体管；其中，从俯视图来看，所述第一源跟随晶体管跨越所述第一像素及第三像素的分界并至少延伸至与所述第一像素的左侧/右侧的光敏传感器相邻，且至少延伸至与所述第三像素的右侧/左侧的光敏传感器相邻。

本申请的一实施例公开了一种芯片，包括上述的图像传感器的半导体结构。

本申请的一实施例公开了一种电子装置，包括上述的图像传感器的半导体结构。

本申请实施例针对图像传感器的半导体结构的输出电路之配置方式进行改良，可降低面积并改善输出电路的效能。

附图说明

图1为本申请的图像传感器的半导体结构的实施例的俯视图。

图2为图1的图像传感器的像素的电路图。

图3为基于图1的图像传感器的半导体结构的拜耳像素组的第一实施例的俯视图。

图4为基于图1的图像传感器的半导体结构的拜耳像素组的第二实施例的俯视图。

图5为本申请的图像传感器应用于电子装置中的实施例的示意图。

其中，附图标记说明如下：

600 图像传感器