[实用新型]图像传感器的半导体结构、芯片及电子装置

权利要求书

1.一种图像传感器的半导体结构，其特征在于：

所述图像传感器的半导体结构包括：半导体衬底和设置于所述半导体衬底的若干个像素组，每个像素组包括：位于同一行且相邻的第一像素及第二像素，位于另一行且相邻的第三像素及第四像素，所述第一像素及第三像素为对角错位设置且第一像素及第三像素均为绿色像素；

所述第一像素、第二像素、第三像素及第四像素各自均包括四个按照两行两列排列的子像素，每个像素里的四个子像素共用浮置扩散区且所述浮置扩散区被所述四个子像素的光敏传感器包围，所述光敏传感器用来将光线转换为电荷；

所述第一像素和所述第三像素的输出电路共享，所述第一像素和所述第三像素共享的所述输出电路位于所述第一像素及第三像素之间且延伸至所述第一像素的左侧/右侧和所述第三像素的右侧/左侧，所述输出电路的一部分相邻所述第一像素的光敏传感器，所述输出电路的另一部分相邻所述第三像素的光敏传感器，所述输出电路用来依据所述电荷产生像素输出，所述输出电路包括第一源跟随晶体管；

其中，从俯视图来看，所述第一源跟随晶体管跨越所述第一像素及第三像素的分界并至少延伸至与所述第一像素的左侧/右侧的光敏传感器相邻，且至少延伸至与所述第三像素的右侧/左侧的光敏传感器相邻。

2.如权利要求1所述的图像传感器的半导体结构，其中所述输出电路另包括设置于第三像素的第一行选择晶体管，且所述第一行选择晶体管相邻所述第三像素的光敏传感器。

3.如权利要求2所述的图像传感器的半导体结构，其中所述输出电路另包括设置于第一像素的第一重置晶体管，且所述第一重置晶体管相邻所述第一像素的光敏传感器。

4.如权利要求3所述的图像传感器的半导体结构，其中从俯视图来看，所述第一行选择晶体管、所述第一源跟随晶体管和所述第一重置晶体管排成一列形成晶体管列。

5.如权利要求2所述的图像传感器的半导体结构，其中所述输出电路通过将所述第一行选择晶体管的一源/漏极作为输出端，来输出所述像素输出。

6.如权利要求3所述的图像传感器的半导体结构，其中从俯视图来看，所述第一源跟随晶体管设置于所述第一重置晶体管和所述第一行选择晶体管之间。

7.如权利要求6所述的图像传感器的半导体结构，其中，所述第一行选择晶体管及所述第一重置晶体管沿所述第一源跟随晶体管对称设置。

8.如权利要求1所述的图像传感器的半导体结构，其中所述每个像素里的四个子像素均包括传输门，且所述传输门位于其所在的子像素的光敏传感器所在的区域。

9.如权利要求8所述的图像传感器的半导体结构，其中从俯视图来看，所述第一像素、第二像素、第三像素及第四像素里的传输门都均匀分布于其所在的像素中。

10.如权利要求1至9中任一项所述的图像传感器的半导体结构，其中所述第二像素及第四像素为对角错位设置且所述第二像素及第四像素的输出电路共享。

11.如权利要求10所述的图像传感器的半导体结构，其中所述第二像素及第四像素共享的输出电路位于所述第二像素及第四像素之间且延伸至所述第二像素的左侧/右侧和所述第四像素的右侧/左侧。

12.如权利要求11所述的图像传感器的半导体结构，其中，所述第二像素及第四像素共享的输出电路包括第二源跟随晶体管，所述第二源跟随晶体管跨越所述第二像素及第四像素的分界并至少延伸至与所述第二像素的左侧/右侧的光敏传感器相邻，且至少延伸至与所述第四像素的右侧/左侧的光敏传感器相邻。