[实用新型]去除背面硅应力的旋转装置有效
| 申请号: | 201921635545.4 | 申请日: | 2019-09-27 |
| 公开(公告)号: | CN210167344U | 公开(公告)日: | 2020-03-20 |
| 发明(设计)人: | 杨亚峰;王卫国;万明正;王毅 | 申请(专利权)人: | 扬州扬杰电子科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687 |
| 代理公司: | 扬州市苏为知识产权代理事务所(普通合伙) 32283 | 代理人: | 郭翔 |
| 地址: | 225008 江苏省扬*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 去除 背面 应力 旋转 装置 | ||
去除背面硅应力的旋转装置。涉及芯片加工技术领域,尤其涉及去除背面硅应力的旋转装置。提供了一种结构紧凑合理,有效避免外观不良印记和改善背面均匀性问题的去除背面硅应力的旋转装置。包括电机、传动机构、跳动轴和壳体;所述壳体呈L型,包括存储部和支撑部;所述支撑部呈板状,水平固定设置在所述存储部上,靠近底部位置;所述支撑部上设有与所述跳动轴适配的豁口;所述跳动轴活动设置在所述豁口内,并从所述豁口内凸出;所述传动机构设置在所述存储部内;所述跳动轴的一端伸入所述存储部内,与所述传动机构传动连接。本实用新型具有结构紧凑合理,有效避免外观不良印记和改善背面均匀性问题等特点。
技术领域
本实用新型涉及芯片加工技术领域,尤其涉及去除背面硅应力的旋转装置。
背景技术
在硅片背面研磨后,需要进行去除研磨应力和机械损伤,通常使用去应力的硅腐蚀液进行化学腐蚀,但是在此方法的腐蚀过程中,受腐蚀效果影响,硅表面会发生反抛光现象,直到在金属薄膜生长后出现硅与金属之间脱落现象。
现有技术中通用的腐蚀技术采用酸槽浸泡方式,将硅片放置在专用的腐蚀片架中,整体浸泡在腐蚀液中,控制一定的腐蚀时间,使其达到工艺需要的腐蚀量即可;但此过程中易出现片架印记、难控制片内腐蚀均匀性,从而影响产品外观和金属与硅片的结合。
实用新型内容
本实用新型针对以上问题,提供了一种结构紧凑合理,有效避免外观不良印记和改善背面均匀性问题的去除背面硅应力的旋转装置。
本实用新型的技术方案是:包括电机、传动机构、跳动轴和壳体;
所述壳体呈L型,包括存储部和支撑部;所述支撑部呈板状,水平固定设置在所述存储部上,靠近底部位置;
所述支撑部上设有与所述跳动轴适配的豁口;所述跳动轴活动设置在所述豁口内,并从所述豁口内凸出;
所述传动机构设置在所述存储部内;
所述跳动轴的一端伸入所述存储部内,与所述传动机构传动连接;
所述电机固定设置在酸槽的侧壁上,靠近顶部位置,通过所述传动机构带动跳动轴旋转。
所述传动机构包括齿轮一、齿轮二、齿轮三、铰接轴一和铰接轴二;
所述铰接轴一活动连接在所述存储部内,靠近顶部位置;所述铰接轴一的一端与所述电机的旋转轴固定连接,另一端与所述齿轮一固定连接;
所述齿轮二与齿轮一相啮合,通过所述铰接轴二活动连接在所述存储部内,靠近中部位置;
所述齿轮三固定连接在所述跳动轴伸入存储部的一端,与所述齿轮二相啮合。
所述传动机构包括皮带轮一、皮带轮二、同步带和铰接轴三;
所述铰接轴三活动设置在所述存储部内,靠近顶部位置;所述皮带轮一固定套设在所述铰接轴三的一端,所述铰接轴三的另一端从所述存储部内伸出,与所述电机的旋转轴固定连接;
所述皮带轮二固定连接在所述跳动轴伸入存储部的一端,并通过所述同步带与所述皮带轮一传动连接。
所述跳动轴的截面呈椭圆形。
本实用新型包括电机、传动机构、跳动轴和壳体;电机带动传动机构旋转,通过传动机构带动支撑部上的跳动轴旋转,跳动轴表面与若干片晶片的边缘处连接,通过跳动轴的旋转带动晶片在酸槽内旋转,避免片架印记的产生。本实用新型具有结构紧凑合理,有效避免外观不良印记和改善背面均匀性问题等特点。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图;
图2是支撑部的结构示意图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





