[实用新型]一种数据存储保护电路有效

专利信息
申请号: 201921597952.0 申请日: 2019-09-24
公开(公告)号: CN210606640U 公开(公告)日: 2020-05-22
发明(设计)人: 段义山;赵维烨;石文利;周爽 申请(专利权)人: 中科易存软件江苏有限公司
主分类号: G11C7/24 分类号: G11C7/24
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 221000 江苏省徐州市*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 数据 存储 保护 电路
【说明书】:

实用新型公开了一种数据存储保护电路,包括MCU和外部EEPROM存储芯片,还包括指令调节电路和隔离控制电路,指令信号首先送入指令调节电路中进行快速放大,提高指令信号的处理效率,同时采用运放器AR2对放大后的指令信号进行跟随输出,使其输出信号电压与运放器AR1的输入失调电压相抵消,从而消除失调影响,有效保证指令信号输出的有效性,隔离控制电路进一步对指令信号进行RC降噪后,利用运放隔离输出原理使指令信号稳定的输入到MCU中,MCU用于控制外部EEPROM存储芯片工作,本实用新型通过对指令信号进行调节处理,提高指令信号的抗干扰性和精确度,有效防止外部干扰使控制指令出现信号失调或中断,增强对数据存储保护效果。

技术领域

本实用新型涉及数据存储技术领域,特别是涉及一种数据存储保护电路。

背景技术

随着电子商务的不断发展,企业用户会把越来越多的业务通过互联网来进行处理,这使得企业可以更好地节约成本、提高效率。其中互联网数据中心作为电子商务的服务平台,为用户提供基础平台服务和各种增值服务。用户通过服务器平台下发控制指令,通过MCU对控制指令的判断从而控制外部EEPROM存储芯片的读写操作,从而对数据存储起到保护作用,此保护方式对MCU程序跑飞时起到很好的保护效果,但是当存在外部干扰使控制指令出现信号失调或中断时,指令信号出现失效,很容易造成数据存储延时或失效现象,影响数据存储保护效果。

所以本实用新型提供一种新的方案来解决此问题。

实用新型内容

针对上述情况,为克服现有技术之缺陷,本实用新型之目的在于提供一种数据存储保护电路。

其解决的技术方案是:一种数据存储保护电路,包括MCU和外部EEPROM存储芯片,还包括指令调节电路和隔离控制电路,所述指令调节电路的输入端连接控制指令信号输出端,所述指令调节电路的输出端连接所述隔离控制电路的输入端,所述隔离控制电路的输出端连接所述MCU的指令输入端,所述MCU用于控制外部EEPROM存储芯片工作。

进一步的,所述指令调节电路包括运放器AR1、AR2,运放器AR1的同相输入端通过电阻R1连接控制指令信号输出端,并通过电阻R2连接电容C1的一端和三极管Q1的基极,电容C1的另一端与三极管Q1的集电极通过电阻R4连接运放器AR1的输出端和电阻R3的一端,三极管Q1的发射极连接电阻R5、R6的一端和运放器AR2的同相输入端,电阻R5的另一端接地,运放器AR2的反相输入端通过电容C2连接运放器AR2的输出端、运放器AR1的反相输入端和电阻R3的另一端,电阻R6的另一端通过电容C3连接所述隔离控制电路的输入端。

进一步的,所述隔离控制电路包括运放器AR3,运放器AR3的同相输入端通过电阻R7连接电容C3的另一端,并通过电容C4接地,运放器AR3的反相输入端通过电阻R8连接运放器AR3的输出端和所述MCU的指令输入端。

进一步的,还包括警示电路,所述警示电路包括三极管Q2,三极管Q2的基极通过电阻R9连接所述MCU的控制输出端,三极管Q2的集电极通过电阻R10连接+5V电源,三极管Q2的发射极通过警示灯DS1接地。

通过以上技术方案,本实用新型的有益效果为:

1.本实用新型通过对指令信号进行调节处理,提高指令信号的抗干扰性和精确度,有效防止外部干扰使控制指令出现信号失调或中断,增强对数据存储保护效果;

2.指令信号首先送入指令调节电路中进行快速放大,提高指令信号的处理效率,同时采用运放器AR2对放大后的指令信号进行跟随输出,使其输出信号电压与运放器AR1的输入失调电压相抵消,从而消除失调影响,有效保证指令信号输出的有效性;

3.设置警示电路在数据存储出现异常发出预警指示信号,提醒管理人员及时查看,增强故障的直观性。

附图说明

图1为本实用新型指令调节电路原理图。

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