[实用新型]一种数据存储保护电路

权利要求书

1.一种数据存储保护电路，包括MCU和外部EEPROM存储芯片，其特征在于：还包括指令调节电路和隔离控制电路，所述指令调节电路的输入端连接控制指令信号输出端，所述指令调节电路的输出端连接所述隔离控制电路的输入端，所述隔离控制电路的输出端连接所述MCU的指令输入端，所述MCU用于控制外部EEPROM存储芯片工作。

2.根据权利要求1所述的数据存储保护电路，其特征在于：所述指令调节电路包括运放器AR1、AR2，运放器AR1的同相输入端通过电阻R1连接控制指令信号输出端，并通过电阻R2连接电容C1的一端和三极管Q1的基极，电容C1的另一端与三极管Q1的集电极通过电阻R4连接运放器AR1的输出端和电阻R3的一端，三极管Q1的发射极连接电阻R5、R6的一端和运放器AR2的同相输入端，电阻R5的另一端接地，运放器AR2的反相输入端通过电容C2连接运放器AR2的输出端、运放器AR1的反相输入端和电阻R3的另一端，电阻R6的另一端通过电容C3连接所述隔离控制电路的输入端。

3.根据权利要求2所述的数据存储保护电路，其特征在于：所述隔离控制电路包括运放器AR3，运放器AR3的同相输入端通过电阻R7连接电容C3的另一端，并通过电容C4接地，运放器AR3的反相输入端通过电阻R8连接运放器AR3的输出端和所述MCU的指令输入端。

4.根据权利要求1或3所述的数据存储保护电路，其特征在于：还包括警示电路，所述警示电路包括三极管Q2，三极管Q2的基极通过电阻R9连接所述MCU的控制输出端，三极管Q2的集电极通过电阻R10连接+5V电源，三极管Q2的发射极通过警示灯DS1接地。